[发明专利]一种反应室、干法刻蚀设备及刻蚀方法

权利要求书

1.一种反应室，包括腔体和设置于所述腔体内的上电极(2)，其特征在于，所述反应室还包括：

气体扩散板(11)，设置于所述上电极(2)的正上方，并将所述腔体分隔成用于制程气体进入的进气腔和用于所述制程气体电离并刻蚀基板(3)的反应腔，所述气体扩散板(11)上开置有多个连通所述进气腔和所述反应腔的气孔(111)；以及

调节组件(12)，设置于所述气体扩散板(11)上，用于调节每个所述气孔(111)的通气面积；

所述调节组件包括多个推板(121)，每个所述推板(121)对应设置在每个所述气孔(111)一侧，所述气体扩散板(11)上设置有滑槽(122)，所述推板(121)能沿所述滑槽(122)滑动以调节对应的所述气孔(111)的通气面积。

2.如权利要求1所述的反应室，其特征在于，所述气孔(111)包括设置于所述气体扩散板(11)中心的第一气孔(1111)和设置于所述气体扩散板(11)边缘的多个第二气孔(1112)，多个所述第二气孔(1112)环绕所述第一气孔(1111)设置。

3.如权利要求1所述的反应室，其特征在于，所述反应室还包括：

驱动组件，连接于所述调节组件(12)，用于驱动所述调节组件(12)进行调节动作；

控制组件，连接于所述驱动组件，用于控制所述驱动组件动作。

4.如权利要求3所述的反应室，其特征在于，所述控制组件为计算机终端，所述计算机终端预设有不同刻蚀工况下用于调节所述气孔(111)通气面积的调节参数。

5.如权利要求3所述的反应室，其特征在于，所述反应室还包括第一检测组件，设置于所述气体扩散板(11)的上方并连接于所述控制组件，用于检测所述气孔(111)的通气面积。

6.如权利要求3所述的反应室，其特征在于，所述反应室还包括第二检测组件，设置于所述上电极(2)下方并连接于所述控制组件，用于检测刻蚀区域的刻蚀速率；

所述控制组件接收所述检测组件的检测信息，并根据所述检测信息控制所述驱动组件动作。

7.一种干法刻蚀机，其特征在于，包含如权利要求1-6任一项所述的反应室。

8.一种刻蚀方法，其特征在于，采用如权利要求7所述的干法刻蚀机，并包含如下步骤：

根据刻蚀图案(7)，通过所述调节组件调节所述气孔的通气面积；

向反应室中通入制程气体，所述制程气体通过所述气孔(111)，被上电极 (2)电离形成等离子体(5)；

所述等离子体(5)对基板(3)进行刻蚀。

9.如权利要求8所述的刻蚀方法，其特征在于，在所述等离子体(5)对所述基板(3)进行刻蚀的过程中，检测所述刻蚀图案(7)的不同部位的刻蚀速率，并相应地调节所述部位对应的所述气孔(111)的通气面积。