[发明专利]一种减少铸造单晶籽晶本体位错的装料方法在审
| 申请号： | 201811087034.3 | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN109023503A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 徐云飞;雷琦;张泽兴;黄林;刘世龙;赖昌权 | 申请（专利权）人： | 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 谢德珍 |
| 地址： | 332000 江西省九*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种减少铸造单晶籽晶本体位错的装料方法，该方法包括以下步骤：（一）在石英坩埚内表面喷涂氮化硅涂层，作为硅锭脱模层；（二）在石英坩埚底部先铺设第一保护层；（三）再在第一保护层上面铺设单晶籽晶层；（四）在单晶籽晶层2上面铺设第二保护层；（五）铺设好第二保护层后，其余区域铺设回收料和原始纯料即可。本发明采用第一保护层可防止高温下单晶籽晶底部受到氮化硅颗粒对籽晶的损伤，减少底部缺陷产生；并且采用第二保护层可大大减少上层硅料重力对籽晶的影响，降低籽晶本体位错的产生，提高铸造单晶质量。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶籽晶 铺设 第二保护层 第一保护层 位错 籽晶 铸造 装料 石英坩埚 氮化硅颗粒 氮化硅涂层 缺陷产生 回收料 内表面 脱模层 纯料 单晶 硅锭 硅料 喷涂 损伤 上层 | ||
【主权项】：
1.一种减少铸造单晶籽晶本体位错的装料方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：（一）在石英坩埚（4）内表面喷涂氮化硅涂层，作为硅锭脱模层；（二）在石英坩埚（4）底部先铺设第一保护层（1），第一保护层（1）是以5*5的薄硅片方阵进行铺设，每片薄硅片的尺寸为156mm*156mm*0.2mm，薄硅片的铺层整齐无缝隙，无交错；（三）再在第一保护层（1）上面铺设单晶籽晶层（2），单晶籽晶层（2）为25块单晶籽晶块无缝拼接而成，每块单晶籽晶块的尺寸为 130mm*130mm*20mm，单晶籽晶块的径向为[100]；（四）在单晶籽晶层（2）上面铺设第二保护层（3），第二保护层（3）为尺寸是156mm*156mm*25mm的厚硅块铺设而成，厚硅块铺设于单晶籽晶层（2）的拼接接缝处，保护单晶籽晶块拼接缝隙；（五）铺设好第二保护层（3）后，其余区域铺设回收料和原始纯料即可。
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