[发明专利]一种减少铸造单晶籽晶本体位错的装料方法在审
| 申请号： | 201811087034.3 | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN109023503A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 徐云飞;雷琦;张泽兴;黄林;刘世龙;赖昌权 | 申请（专利权）人： | 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 谢德珍 |
| 地址： | 332000 江西省九*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶籽晶 铺设 第二保护层 第一保护层 位错 籽晶 铸造 装料 石英坩埚 氮化硅颗粒 氮化硅涂层 缺陷产生 回收料 内表面 脱模层 纯料 单晶 硅锭 硅料 喷涂 损伤 上层 | ||
【权利要求书】：
1.一种减少铸造单晶籽晶本体位错的装料方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
（一）在石英坩埚（4）内表面喷涂氮化硅涂层，作为硅锭脱模层；
（二）在石英坩埚（4）底部先铺设第一保护层（1），第一保护层（1）是以5*5的薄硅片方阵进行铺设，每片薄硅片的尺寸为156mm*156mm*0.2mm，薄硅片的铺层整齐无缝隙，无交错；
（三）再在第一保护层（1）上面铺设单晶籽晶层（2），单晶籽晶层（2）为25块单晶籽晶块无缝拼接而成，每块单晶籽晶块的尺寸为 130mm*130mm*20mm，单晶籽晶块的径向为[100]；
（四）在单晶籽晶层（2）上面铺设第二保护层（3），第二保护层（3）为尺寸是156mm*156mm*25mm的厚硅块铺设而成，厚硅块铺设于单晶籽晶层（2）的拼接接缝处，保护单晶籽晶块拼接缝隙；
（五）铺设好第二保护层（3）后，其余区域铺设回收料和原始纯料即可。
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