[发明专利]制造极紫外光掩模的方法在审

专利信息
申请号: 201811083041.6 申请日: 2018-09-17
公开(公告)号: CN109581804A 公开(公告)日: 2019-04-05
发明(设计)人: 林云跃 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G03F1/24 分类号: G03F1/24
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 黄艳;宋洋
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种制造极紫外光掩模的方法,包括在掩模基板的第一主表面上方形成钼/硅多层堆叠,上述钼/硅多层堆叠包括交替的钼层及硅层。在上述钼/硅多层堆叠上方形成覆盖层。在上述覆盖层上形成吸收层。在上述吸收层上方形成硬掩模层。图案化上述硬掩模层,以形成硬掩模层图案。上述硬掩模层图案延伸到上述吸收层中,以露出上述覆盖层以及形成掩模图案。在上述掩模图案周围形成边界图案。上述边界图案延伸通过上述钼/硅多层堆叠以露出上述掩模基板以及形成围绕上述掩模图案的沟槽。沿着上述沟槽的侧壁形成钝化层。
搜索关键词: 硬掩模层 堆叠 多层 掩模图案 覆盖层 吸收层 边界图案 极紫外光 掩模基板 掩模 图案延伸 钝化层 交替的 图案化 主表面 侧壁 硅层 钼层 制造 图案 延伸
【主权项】:
1.一种制造一极紫外光掩模的方法,包括:在一掩模基板的一第一主表面上方形成一钼/硅多层堆叠,该钼/硅多层堆叠包括交替的多个钼层及多个硅层;在该钼/硅多层堆叠上方形成一覆盖层;在该覆盖层上形成一吸收层;在该吸收层上方形成一硬掩模层;图案化该硬掩模层,以形成一硬掩模层图案;将该硬掩模层图案延伸到该吸收层中,以露出该覆盖层以及形成一掩模图案;在该掩模图案周围形成一边界图案;将该边界图案延伸通过该钼/硅多层堆叠以露出该掩模基板以及形成围绕该掩模图案的一沟槽;以及沿着该沟槽的多个侧壁形成一钝化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811083041.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top