[发明专利]制造极紫外光掩模的方法在审
| 申请号: | 201811083041.6 | 申请日: | 2018-09-17 |
| 公开(公告)号: | CN109581804A | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
| 发明(设计)人: | 林云跃 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/24 | 分类号: | G03F1/24 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳;宋洋 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 一种制造极紫外光掩模的方法,包括在掩模基板的第一主表面上方形成钼/硅多层堆叠,上述钼/硅多层堆叠包括交替的钼层及硅层。在上述钼/硅多层堆叠上方形成覆盖层。在上述覆盖层上形成吸收层。在上述吸收层上方形成硬掩模层。图案化上述硬掩模层,以形成硬掩模层图案。上述硬掩模层图案延伸到上述吸收层中,以露出上述覆盖层以及形成掩模图案。在上述掩模图案周围形成边界图案。上述边界图案延伸通过上述钼/硅多层堆叠以露出上述掩模基板以及形成围绕上述掩模图案的沟槽。沿着上述沟槽的侧壁形成钝化层。 | ||
| 搜索关键词: | 硬掩模层 堆叠 多层 掩模图案 覆盖层 吸收层 边界图案 极紫外光 掩模基板 掩模 图案延伸 钝化层 交替的 图案化 主表面 侧壁 硅层 钼层 制造 图案 延伸 | ||
【主权项】:
1.一种制造一极紫外光掩模的方法,包括:在一掩模基板的一第一主表面上方形成一钼/硅多层堆叠,该钼/硅多层堆叠包括交替的多个钼层及多个硅层;在该钼/硅多层堆叠上方形成一覆盖层;在该覆盖层上形成一吸收层;在该吸收层上方形成一硬掩模层;图案化该硬掩模层,以形成一硬掩模层图案;将该硬掩模层图案延伸到该吸收层中,以露出该覆盖层以及形成一掩模图案;在该掩模图案周围形成一边界图案;将该边界图案延伸通过该钼/硅多层堆叠以露出该掩模基板以及形成围绕该掩模图案的一沟槽;以及沿着该沟槽的多个侧壁形成一钝化层。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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