[发明专利]制造极紫外光掩模的方法

说明书

一种制造极紫外光掩模的方法，包括在掩模基板的第一主表面上方形成钼/硅多层堆叠，上述钼/硅多层堆叠包括交替的钼层及硅层。在上述钼/硅多层堆叠上方形成覆盖层。在上述覆盖层上形成吸收层。在上述吸收层上方形成硬掩模层。图案化上述硬掩模层，以形成硬掩模层图案。上述硬掩模层图案延伸到上述吸收层中，以露出上述覆盖层以及形成掩模图案。在上述掩模图案周围形成边界图案。上述边界图案延伸通过上述钼/硅多层堆叠以露出上述掩模基板以及形成围绕上述掩模图案的沟槽。沿着上述沟槽的侧壁形成钝化层。

技术领域

本公开的实施例是关于一种极紫外光掩模和制造此掩模的方法。具体来说，本公开的实施例是关于保护极紫外光掩模的黑色边界，以免于其在制造极紫外光掩模的期间损坏。

背景技术

在极紫外光(远紫外线)光刻工艺中，从等离子体发射的极紫外光射线(lightray)从收集镜反射，引导向图案化的极紫外光掩模，并从上述掩模反射到目标基板上。极紫外光反射掩模包括基板、极紫外光反射多层结构和极紫外光吸收层(吸收体)。借助蚀刻和光刻技术对极紫外光吸收层进行图案化，以暴露出在下方的用于在目标基板上对所需图案进行极紫外光刻图案化的极紫外光反射层，同时极紫外光吸收层会吸收极紫外光射线，以避免在非期望的区域中图案化目标基板。因此，极紫外光吸收层的厚度、极紫外光反射多层结构中各层的厚度、上述层的表面粗糙度、以及所有层的材料性质的均匀性对于照射目标基板的极紫外光的品质来说相当重要。在业界实践中，离轴(off-axis)照明或其他因素会对目标基板产生阴影效应(shadow effect)，而极紫外光吸收层厚度的变化会影响极紫外光吸收层以及紫外光反射多层结构组合的正常功能。

“黑色边界(black border)”在极紫外光反射掩模的期望图案的边界处形成，以避免图案的边界的过度曝光。“黑色边界”是具有足够深度的非反射性沟槽，可借助破坏性干涉以使边界不发生反射(在光学上是“黑色”的)，进而解决阴影效应的问题。在极紫外光掩模的工艺期间，黑色边界可能会损坏。由于钼和硅的蚀刻选择性的差异，在黑色边界中的钼/硅多层中的硅层可能会发生底切(undercut)蚀刻。与硅相比，钼具有更高的蚀刻选择性。氢气可以优先地蚀刻硅，而底切钼层。此外，可能会发生钼的纳米晶体聚集(nanocrystal aggregation)，从而形成会污染掩模的球形颗粒。因此需要改进极紫外光掩模和制造极紫外光掩模的方法。

发明内容

根据本公开的一些实施例，提供了一种制造极紫外光掩模的方法，包括在掩模基板的第一主表面上方形成钼/硅多层堆叠，钼/硅多层堆叠包括交替的钼层及硅层。在钼/硅多层堆叠上方形成覆盖层。在覆盖层上形成吸收层。在吸收层上方形成硬掩模层。图案化硬掩模层，以形成硬掩模层图案。将硬掩模层图案延伸到吸收层中，以露出覆盖层以及形成掩模图案。在掩模图案周围形成边界图案。将边界图案延伸通过钼/硅多层堆叠以露出掩模基板以及形成围绕掩模图案的沟槽。沿着沟槽的侧壁形成钝化层。

根据本公开的另一些实施例，提供了一种制造极紫外光掩模的方法，包括图案化设置在钼/硅多层堆叠上方的吸收层以形成掩模图案，钼/硅多层堆叠被设置在掩模基板的第一主表面上方并包括交替的钼层及硅层。在掩模图案周围形成边界图案。将边界图案延伸通过钼/硅多层堆叠以露出掩模基板以及形成围绕掩模图案的沟槽。在掩模图案上方及沿着沟槽的侧壁形成钝化层。

根据本公开的另一些实施例，提供了一种极紫外光掩模，包括钼/硅多层堆叠，钼/硅多层堆叠包括设置在掩模基板的第一主表面上方的交替的钼层及硅层。覆盖层设置在钼/硅多层堆叠上方。吸收层设置在覆盖层上。掩模图案形成在上述吸收层中。沟槽形成在钼/硅多层堆叠中并围绕掩模图案。钝化层沿着沟槽的侧壁设置。

附图说明

以下将配合附图详述本公开的实施例。应注意的是，依据在业界的标准做法，多种特征并未按照比例绘示且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小元件的尺寸，以清楚地表现出本公开的特征。

图1示出根据本公开一些实施例的极紫外光刻工具。