[发明专利]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201811067160.2 | 申请日： | 2018-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN109686653A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 文禹貹;金睹涓 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L27/115;H01L27/11556;H01L27/11582;G03F1/56 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体器件的制造方法。在制造半导体器件的方法中，使用包括光透射孔的曝光掩模，在层叠结构中形成波型狭缝。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 层叠结构 曝光掩模 光透射 波型 狭缝 申请 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成层叠结构；在所述层叠结构上形成光致抗蚀剂层；使用曝光掩模，以被控制为使得第一间隙被转移而第二间隙不被转移的光量来使所述光致抗蚀剂层曝光，其中所述曝光掩模包括第一光透射孔、第二光透射孔和光阻挡图案，并且所述曝光掩模被形成为使得所述光阻挡图案阻挡在彼此相邻的所述第一光透射孔与所述第二光透射孔之间的所述第一间隙以及在所述第一光透射孔之间和在所述第二光透射孔之间的所述第二间隙；通过去除所述光致抗蚀剂层的非曝光区域来形成光致抗蚀剂图案，所述光致抗蚀剂层的非曝光区域与所述第一间隙的转移形状相对应；以及使用所述光致抗蚀剂图案，在所述层叠结构中形成与所述转移形状相对应的波型狭缝。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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