[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

形成层叠结构；

在所述层叠结构上形成光致抗蚀剂层；

使用曝光掩模，以被控制为使得第一间隙被转移而第二间隙不被转移的光量来使所述光致抗蚀剂层曝光，其中所述曝光掩模包括第一光透射孔、第二光透射孔和光阻挡图案，并且所述曝光掩模被形成为使得所述光阻挡图案阻挡在彼此相邻的所述第一光透射孔与所述第二光透射孔之间的所述第一间隙以及在所述第一光透射孔之间和在所述第二光透射孔之间的所述第二间隙；

通过去除所述光致抗蚀剂层的非曝光区域来形成光致抗蚀剂图案，所述光致抗蚀剂层的非曝光区域与所述第一间隙的转移形状相对应；以及

使用所述光致抗蚀剂图案，在所述层叠结构中形成与所述转移形状相对应的波型狭缝。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一间隙比所述第二间隙中的每个第二间隙大。

3.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

形成层叠结构；

通过使用包括光透射孔的曝光掩模来执行第一光刻工艺而在所述层叠结构中形成与所述光透射孔相对应的通道孔；

在所述通道孔的每个通道孔中形成包括通道层的单元插塞；以及

通过使用所述曝光掩模来执行第二光刻工艺而在所述层叠结构中形成波型的第一狭缝，其中所述波型的第一狭缝相对于通过允许光经由所述光透射孔透射而限定的光辐射区域具有相反的形状。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一光刻工艺包括：

在所述层叠结构上形成第一掩模层；

在所述第一掩模层上形成第一光致抗蚀剂层；

通过经由所述曝光掩模的所述光透射孔使所述第一光致抗蚀剂层曝光而在所述第一光致抗蚀剂层中形成彼此间隔开的曝光区域；

通过去除所述曝光区域来形成第一光致抗蚀剂图案；

通过使用所述第一光致抗蚀剂图案作为刻蚀阻挡层的刻蚀工艺来刻蚀所述第一掩模层而形成具有开孔的第一掩模图案；以及

通过使用所述第一掩模图案作为刻蚀阻挡层的刻蚀工艺来刻蚀经由所述开孔曝光的所述层叠结构而形成所述通道孔。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二光刻工艺包括：

在所述层叠结构上形成第二掩模层；

在所述第二掩模层上形成第二光致抗蚀剂层；

通过经由所述光透射孔使所述第二光致抗蚀剂层曝光而在所述第二光致抗蚀剂层中形成曝光区域和非曝光区域，所述曝光区域与所述光辐射区域相对应，而所述非曝光区域与相对于所述光辐射区域的所述相反的形状相对应；

通过去除所述非曝光区域来形成第二光致抗蚀剂图案；

通过使用所述第二光致抗蚀剂图案作为刻蚀阻挡层的刻蚀工艺来刻蚀所述第二掩模层而形成具有与所述非曝光区域相对应的沟槽的第二掩模图案；以及

通过使用所述第二掩模图案作为刻蚀阻挡层的刻蚀工艺来刻蚀经由所述沟槽曝光的所述层叠结构而形成所述第一狭缝。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述光透射孔包括第一光透射孔和与所述第一光透射孔以第一间隙间隔开的第二光透射孔，所述第一间隙介于所述第一光透射孔与所述第二光透射孔之间；

其中，所述第一光透射孔之间的间隙和所述第二光透射孔之间的间隙被形成为比所述第一间隙小，以不被转移到所述曝光区域。

7.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述第二光刻工艺中辐射的光量被控制为比在所述第一光刻工艺中辐射的光量大，使得所述光透射孔中的一些光透射孔以它们彼此连接的形状被转移。

8.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一狭缝穿通所述层叠结构的一部分或完全穿通所述层叠结构。

9.根据权利要求3所述的方法，还包括形成完全穿通所述层叠结构的第二狭缝，

其中，在所述第二狭缝之间形成比所述第二狭缝短的所述第一狭缝。