[发明专利]ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法

摘要

本公开提供一种ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法，该ZnO/GaN异质结纳米线光开关包括：硅衬底、二氧化硅绝缘层以及ZnO/GaN异质结纳米线；二氧化硅绝缘层生长于硅衬底上；ZnO/GaN异质结纳米线设置于二氧化硅绝缘层上，沿其长度方向分为：ZnO纳米线和GaN纳米线，ZnO纳米线远离异质结界面的一端设置有源电极，异质结界面处设置有漏电极；GaN纳米线靠近异质结界面的一端与漏电极连接，另一端设置有栅电极。本公开提供的ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法利用ZnO纳米线优良的光敏效应，采用GaN纳米线发出的紫外光激发ZnO纳米线，调节ZnO纳米线光电导，实现栅极对源漏电流大小的有效控制，达到制作异质结纳米线光开关的目的。

主权项

1.一种ZnO/GaN异质结纳米线光开关，包括：硅衬底；二氧化硅绝缘层，生长于所述硅衬底上；ZnO/GaN异质结纳米线，设置于所述二氧化硅绝缘层上，沿其长度方向分为：ZnO纳米线，其远离异质结界面的一端设置有源电极，异质结界面处设置有漏电极；GaN纳米线，其靠近异质结界面的一端与所述漏电极连接，另一端设置有栅电极。