[发明专利]一种用于检测光刻图案的缺陷的方法和系统有效
| 申请号： | 201811063017.6 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109491210B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | S·霍尔德;P·勒雷 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈斌 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种用于检测光刻图案的缺陷的方法和对应的系统。图案被形成在包括多个管芯区域(110)的半导体晶片(100)上，其中管芯区域中的每一者具有感兴趣区域ROI(200)，其包括形成光刻图案的多个特征(201‑209)。该方法包括以下步骤：a)获取(30)所述ROI中的至少一个ROI的图像；b)移除(40)触及所述图像的边缘的特征；以及c)计算(50)所述图像中的剩余特征的数量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 检测 光刻 图案 缺陷 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种用于检测包括多个管芯区域(110)的半导体晶片(100)上的光刻图案的缺陷的方法，其中所述管芯区域中的每一者具有感兴趣区域ROI(200)，所述ROI包括形成光刻图案的多个特征(201‑209)，其中所述方法包括以下步骤：a)获取(30)所述ROI中的至少一个ROI的图像；b)移除(40)触及所述图像的边缘的特征；以及c)计算(50)所述图像中的剩余特征的数量。
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