[发明专利]一种用于检测光刻图案的缺陷的方法和系统

权利要求书

1.一种用于检测包括多个管芯区域的半导体晶片上的光刻图案的缺陷的方法，其中所述管芯区域中的每一者具有感兴趣区域ROI，所述ROI包括形成光刻图案的多个特征，并且其中所述方法包括：

通过光刻工具在所述多个管芯区域上印刷所述光刻图案，其中光刻参数在不同的管芯区域之间被改变；

为每个管芯区域获取所述ROI的图像；

移除触及所述图像的边缘的特征；

针对每个管芯区域计数所述ROI的所述图像中的剩余特征的数量；

根据所述光刻参数针对每个管芯区域确定所述ROI的所述图像中的所述剩余特征的数量；以及

基于针对每个管芯区域的所述ROI的所述图像中的所述剩余特征的数量，确定定义限制的工艺窗口，所述光刻参数能在所述限制之间改变而特征的所述数量不偏离特征的目标数量。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：

将所述ROI的所述图像的所述剩余特征的数量与所述特征的目标数量进行比较；以及

当所述图像中的所述剩余特征的数量与所述特征的目标数量不同时将所述ROI标记为缺陷。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述特征的目标数量是所述光刻图案的设计布局的特征的设计意图数量。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括：

获取多个ROI中的每一个ROI的图像；

通过执行以下操作来针对每个图像确定剩余特征的数量：

移除触及该图像的边缘的特征；以及

计数该图像中的剩余特征的数量；

针对所述多个ROI的图像确定特征的模数，所述特征的模数表示跨所述多个ROI的图像出现的特征的最常见数量；以及

针对每个图像：

将该图像的剩余特征的数量与所述特征的模数进行比较；以及

当该特征数量与所述特征的模数不同时将与该图像相关联的ROI标记为缺陷。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体晶片包括测试晶片，其中所述测试晶片是临界尺寸均匀性CDU晶片或聚焦曝光能量矩阵FEM晶片，其中所述管芯区域以行和列来布置，并且其中管芯的中心列对应于经调制的聚焦列。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻参数包括剂量、聚焦、或覆盖。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在获取所述ROI中的至少一个ROI的图像之前，所述ROI的位置通过从所述光刻图案的设计布局中提取热点来被定位。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在获取所述ROI中的至少一个ROI的图像之前，所述ROI的位置使用所述管芯区域中的至少一些管芯区域的光学检查来被定位。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在获取所述ROI中的至少一个ROI的图像之前，感兴趣的管芯使用所述管芯区域中的至少一些管芯区域的光学检查来被确定。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中移除触及所述图像的边缘的特征包括仅移除触摸所述图像的边缘的、在所述图像内具有带不止一个预期端点的线/空间特征的那些特征。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图像使用扫描电子显微镜SEM来被获取。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图像在移除触及所述图像的边缘的特征之前被二值化。