[发明专利]一种TMBS器件的制备方法

摘要

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种TMBS器件的制备方法，包括：步骤S1，提供具有有源区和围绕有源区的终端保护区的一衬底；步骤S2，采用一溅射淀积工艺以及一热退火工艺于有源区内衬底暴露的上表面形成一金属硅化物层；步骤S3，采用一湿法腐蚀工艺去除金属硅化物层上表面的金属残留，形成由衬底、栅结构、终端保护环和金属硅化物层的一预制备器件；步骤S4，采用一清洗工艺进一步去除预制备器件表面的金属残留；步骤S5，采用一离子注入工艺轰击预制备器件的表面；步骤S6，于预制备器件的表面溅射一金属层；能够避免金属的残留物对器件的影响，同时利用了注入工艺保证了金属硅化物层的应力，解决了晶圆上金属剥落等问题，且接触电阻小。

主权项

1.一种TMBS器件的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供具有有源区和围绕所述有源区的终端保护区的一衬底，所述衬底中制备有沟槽式且经填充的栅结构，且所述终端保护区内所述衬底的上表面覆盖有一终端保护环；步骤S2，采用一溅射淀积工艺以及一热退火工艺于所述有源区内所述衬底暴露的上表面形成一金属硅化物层；步骤S3，采用一湿法腐蚀工艺去除所述金属硅化物层上表面的金属残留，形成由所述衬底、所述栅结构、所述终端保护环和所述金属硅化物层的一预制备器件；步骤S4，采用一清洗工艺进一步去除所述预制备器件表面的金属残留；步骤S5，采用一离子注入工艺轰击所述预制备器件的表面；步骤S6，于所述预制备器件的表面溅射一金属层。