[发明专利]一种TMBS器件的制备方法有效
| 申请号： | 201811058358.4 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN109473353B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 孙春明;陈敏;欧新华;袁琼;戴维;戴伊娜 | 申请（专利权）人： | 上海芯导电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙) 31343 | 代理人： | 徐海晟 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 tmbs 器件 制备 方法 | ||
1.一种TMBS器件的制备方法，其特征在于，包括：
步骤S1，提供具有有源区和围绕所述有源区的终端保护区的一衬底，所述衬底中制备有沟槽式且经填充的栅结构，且所述终端保护区内所述衬底的上表面覆盖有一终端保护环；
步骤S2，采用一溅射淀积工艺以及一热退火工艺于所述有源区内所述衬底暴露的上表面形成一金属硅化物层；所述金属硅化物为镍金属硅化物；
步骤S3，采用一湿法腐蚀工艺去除所述金属硅化物层上表面的金属残留，形成由所述衬底、所述栅结构、所述终端保护环和所述金属硅化物层的一预制备器件；
步骤S4，采用一清洗工艺进一步去除所述预制备器件表面的金属残留；所述步骤S4中，所述清洗工艺采用的是硫酸、双氧水和水的混合溶液；所述金属残留的成分为镍铂合金；硫酸、双氧水和水的比例为3:2:10；
步骤S5，采用一离子注入工艺轰击所述预制备器件的表面；
所述步骤S5中，所述离子注入工艺采用氩离子进行轰击；所述离子注入工艺在270～290℃的温度环境下进行轰击；
步骤S6，于所述预制备器件的表面溅射一金属层。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S6中，采用钛钨合金形成所述金属层。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述终端保护环包括层叠的一第一保护层和一第二保护层。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为N型衬底。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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