[发明专利]基于二维半导体异质结的与/或逻辑门电路及其实现和制备方法有效

专利信息
申请号: 201811056234.2 申请日: 2018-09-11
公开(公告)号: CN109300911B 公开(公告)日: 2020-11-27
发明(设计)人: 黄如;贾润东;黄芊芊;陈亮 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H03K19/20;H01L21/77
代理公司: 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 代理人: 李稚婷
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种基于二维半导体异质结的与/或逻辑门电路及其实现和制备方法。利用两个具有单向导电性的二维半导体异质PN结并联,再配合固定电阻,即可以实现与/或逻辑功能。通过栅压的改变调节二维半导体异质结的单向导电性的方向,实现从PN结到NP结的变化。当二维半导体异质结处于不同的单向导电的方向时,能够分别实现与逻辑功能,或逻辑功能,即通过改变栅压,可以实现与/或逻辑的转变。本发明器件制备工艺简单,电路实现容易,大大降低电路面积,可实现大规模集成。
搜索关键词: 基于 二维 半导体 异质结 逻辑 门电路 及其 实现 制备 方法
【主权项】:
1.一种基于二维半导体异质结的与/或逻辑门电路,包括一个二维半导体异质结器件和一个外接的固定电阻,其中:所述二维半导体异质结器件包括绝缘衬底,以及绝缘衬底上的第一二维半导体材料;在所述第一二维半导体材料上方,两端分别有第二二维半导体材料和第三二维半导体材料与之形成纵向堆叠,并形成两个单向导电性方向相同的异质PN结,且所述第二二维半导体材料和第三二维半导体材料之间互不相连;两个异质PN结共用的电极位于第一二维半导体材料上方,非共用电极分别位于第二二维半导体材料和第三二维半导体材料上方;所述外接的固定电阻连接两个异质PN结共用的电极。
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