[发明专利]一种联动膜电容式压力敏感芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201811052164.3 | 申请日： | 2018-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN109141691A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 揣荣岩;张冰;杨宇新;李新;张贺 | 申请（专利权）人： | 沈阳工业大学 |
| 主分类号： | G01L1/14 | 分类号： | G01L1/14 |
| 代理公司： | 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 | 代理人： | 周智博;宋铁军 |
| 地址： | 110870 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种联动膜电容式压力敏感芯片及其制造方法，该芯片包括衬底硅片（1）、上极板（2）和下极板（3）；衬底硅片（1）的上部开有凹槽，下极板（3）设置在凹槽内，上极板（2）盖在凹槽开口处，使得凹槽形成密封腔体；本发明所述的这种联动膜电容式压力敏感芯片及其制造方法中设计了悬空可动的下极板，这样上、下极板均成为可动结构，从而提高线性度，且增大了线性区域的量程范围；采用SOI基片的硅薄膜制作单晶硅的上极板，使得上极板的厚度更加易于控制；采用硅硅直接键合技术，对SOI基片的单晶硅薄膜进行转移，上极板的制造工艺更加易于实现；通过控制所淀积牺牲层的厚度来合理控制下极板悬空高度，提高其悬空高度的精确度。 | ||
| 搜索关键词： | 上极板 下极板 压力敏感芯片 膜电容 联动 悬空 衬底硅片 制造 单晶硅 单晶硅薄膜 凹槽开口 凹槽形成 可动结构 密封腔体 线性区域 直接键合 制造工艺 硅薄膜 牺牲层 线性度 淀积 硅硅 可动 量程 芯片 制作 | ||
【主权项】：
1.一种联动膜电容式压力敏感芯片，其特征在于：该芯片包括衬底硅片(1)、上极板(2)和下极板(3)；衬底硅片(1)的上部开有凹槽，下极板(3)设置在凹槽内，上极板(2)盖在凹槽开口处，使得凹槽形成密封腔体；上极板(2)和下极板(3)通过压焊点与外部电路连接成压力检测电路，将压力信号转换成电容信号输出。
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