[发明专利]一种双波段长波长发光铟镓氮量子阱外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201811047495.8 | 申请日： | 2018-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN109285922A | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 方志来;吴征远 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体材料技术领域，具体为一种双波段长波长发光铟镓氮量子阱外延片的制备方法。其采用金属有机物化学气相外延技术，先在m面蓝宝石衬底上外延半极性GaN；然后运用界面改性技术处理该GaN；随后在该GaN上继续外延GaN材料，从而获得高质量的GaN模板；最后在GaN模板上生长InGaN/GaN量子阱。界面改性技术提高GaN模板、InGaN/GaN量子阱的晶体质量并抑制穿透缺陷穿透至量子阱；且半极性InGaN/GaN量子阱极化场弱，因此量子阱可以发射出双波段光。本发明的外延片可用于制备紫蓝、蓝绿、绿橙、橙红光等双波段发光二极管。由于发光机制改善，改善现有黄绿光LED发光效率较低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 量子阱 双波段 外延片 制备 界面改性 半极性 长波长 铟镓氮 穿透 发光 双波段发光二极管 半导体材料 金属有机物化学 气相外延技术 发光机制 技术处理 橙红光 黄绿光 极化场 衬底 可用 发射 生长 | ||
【主权项】：
1.一种双波段长波长发光铟镓氮量子阱外延片的制备方法，其特征在于, 采用金属有机物化学气相沉积技术，具体步骤为：（1）在m面蓝宝石衬底上生长GaN薄膜；（2）利用界面改性技术对薄膜表面进行原位处理；（3）在原位处理过的薄膜上重新生长GaN，获得高质量的GaN模板；重新生长的GaN薄膜的温度为1010‑1060℃；（4）在上述制备的GaN模板上生长InGaN/GaN量子阱。
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