[发明专利]电容结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201811041793.6 | 申请日： | 2018-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN110707084B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 黄楷珞;李甫哲;张峰溢;陈界得;蔡孟珈 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种电容结构及其制作方法，该电容结构包含一基底，其上具有一存储节点接触；一筒状下电极，设于所述存储节点接触上；一支撑结构，水平的支撑所述筒状下电极的一侧壁，其中所述支撑结构具有一上表面，高于所述筒状下电极的上表面，其中所述支撑结构的上表面具有一V型剖面轮廓；一电容介电层，顺形的覆盖所述筒状下电极与所述支撑结构；以及一上电极，覆盖在所述电容介电层上。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种电容结构，其特征在于，包含:/n基底，其上具有存储节点接触；/n筒状下电极，设于所述存储节点接触上；/n支撑结构，水平的支撑所述筒状下电极的侧壁，其中所述支撑结构具有上表面，高于所述筒状下电极的上表面，其中所述支撑结构的上表面具有V型剖面轮廓；/n电容介电层，顺形的覆盖所述筒状下电极与所述支撑结构；以及/n上电极，覆盖在所述电容介电层上。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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