[发明专利]电容结构及其制作方法

权利要求书

1.一种电容结构，其特征在于，包含:

基底，其上具有存储节点接触；

筒状下电极，设于所述存储节点接触上；

支撑结构，水平的支撑所述筒状下电极的侧壁，其中所述支撑结构具有上表面，高于所述筒状下电极的上表面，其中所述支撑结构的上表面具有V型剖面轮廓，其中所述支撑结构包含倾斜侧壁，向下延伸至所述筒状下电极的上表面；

电容介电层，顺形的覆盖所述筒状下电极与所述支撑结构；以及

上电极，覆盖在所述电容介电层上。

2.如权利要求1所述的电容结构，其中所述支撑结构与所述筒状下电极的所述侧壁直接接触。

3.如权利要求1所述的电容结构，其中所述支撑结构包含氮化硅(SiN)或氮碳化硅(SiCN)。

4.如权利要求3所述的电容结构，其中所述筒状下电极包含氮化钛(TiN)。

5.如权利要求4所述的电容结构，其中另包含:

第一保护层，设于所述支撑结构的所述倾斜侧壁上；以及

第二保护层，设于所述筒状下电极上。

6.如权利要求5所述的电容结构，其中所述第一保护层包含氮氧化硅(SiON)或氮碳氧化硅(SiOCN)。

7.如权利要求5所述的电容结构，其中所述第二保护层包含二氧化钛(TiO₂)。

8.一种形成电容结构的方法，包含:

提供基底，其上具有存储节点接触；

形成筒状下电极，在所述存储节点接触上；

形成支撑结构，水平的支撑所述筒状下电极的侧壁，其中所述支撑结构具有上表面，高于所述筒状下电极的上表面，其中所述支撑结构的上表面具有V型剖面轮廓，其中所述支撑结构包含倾斜侧壁，向下延伸至所述筒状下电极的上表面；

形成电容介电层，覆盖所述筒状下电极与所述支撑结构；以及

形成上电极，覆盖在所述电容介电层上。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述支撑结构与所述筒状下电极的所述侧壁直接接触。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述支撑结构包含氮化硅(SiN)或氮碳化硅(SiCN)。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述筒状下电极包含氮化钛(TiN)。

12.如权利要求11所述的方法，其中另包含；

形成第一保护层，在所述支撑结构的所述倾斜侧壁上；以及

形成第二保护层，在所述筒状下电极上。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述第一保护层包含氮氧化硅(SiON)或氮碳氧化硅(SiOCN)。

14.如权利要求12所述的方法，其中所述第二保护层包含二氧化钛(TiO₂)。

15.如权利要求8所述的方法，其中所述形成支撑结构的步骤另包含进行氧气处理与氯气蚀刻，以于所述支撑结构的上表面形成所述V型剖面轮廓。

16.如权利要求8所述的方法，其中所述形成支撑结构的步骤另包含进行氧气处理与氯气蚀刻，以于所述支撑结构形成所述倾斜侧壁向下延伸至所述筒状下电极的上表面。