[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质在审
| 申请号： | 201811041043.9 | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN109559973A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 吉田怜亮;加我友纪直;竹林雄二;境正宪;平野敦士 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。本发明的目的在于提供一种对于层叠于处理室内的多个衬底而言、能够对各衬底的面间的膜厚均衡性进行调节的技术。本发明的解决手段为提供具有下述工序的技术：从在层叠并收容有多个衬底的处理室内沿上述多个衬底的层叠方向立设的第一喷嘴，向上述多个衬底供给原料气体的工序；以及，从在上述处理室内沿上述多个衬底的层叠方向立设、且具备具有从上游侧向下游侧变大的开口面积的开口部的第二喷嘴，向上述多个衬底供给反应气体，在以沿上述多个衬底的层叠方向而成为期望的值的方式调节上述反应气体的分压均衡性的同时供给上述反应气体的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 层叠方向 反应气体 衬底处理装置 半导体器件 喷嘴 均衡性 室内 侧向 供给原料 开口部 分压 膜厚 收容 制造 开口 期望 上游 | ||
【主权项】：
1.半导体器件的制造方法，其具有下述工序：从第一喷嘴向多个衬底供给原料气体的工序，其中，所述第一喷嘴在层叠并收容有所述多个衬底的处理室内沿所述多个衬底的层叠方向立设；和从第二喷嘴向所述多个衬底供给反应气体，并且在以沿所述多个衬底的层叠方向而成为期望的值的方式对所述反应气体的分压均衡性进行调节的同时供给所述反应气体的工序，其中，所述第二喷嘴在所述处理室内沿所述多个衬底的层叠方向立设、且具备具有从上游侧朝向下游侧变大的开口面积的开口部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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