[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

权利要求书

1.半导体器件的制造方法，其具有下述工序：

从第一喷嘴向多个衬底供给原料气体的工序，其中，所述第一喷嘴在层叠并收容有所述多个衬底的处理室内沿所述多个衬底的层叠方向立设；和

从第二喷嘴向所述多个衬底供给反应气体，并且在以沿所述多个衬底的层叠方向而成为期望的值的方式对所述反应气体的分压均衡性进行调节的同时供给所述反应气体的工序，其中，所述第二喷嘴在所述处理室内沿所述多个衬底的层叠方向立设、且具备具有从上游侧朝向下游侧变大的开口面积的开口部。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在供给所述反应气体的工序中，与非活性气体同时地从所述第二喷嘴供给所述反应气体，根据期望的所述反应气体的分压均衡性对从所述第二喷嘴供给的所述非活性气体的流量进行设定。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在供给所述反应气体的工序中，根据期望的所述反应气体的分压均衡性对所述反应气体的流量进行设定。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

在供给所述原料气体的工序中，从具备具有从上游侧朝向下游侧变大的开口面积的开口部的所述第一喷嘴，向所述多个衬底供给所述原料气体，

在供给所述反应气体的工序中，从所述第二喷嘴供给所述反应气体并且从所述第一喷嘴供给非活性气体，根据期望的所述反应气体的分压均衡性，对从所述第二喷嘴供给的所述非活性气体的流量进行设定。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

在供给所述原料气体的工序中，从具备具有从上游侧朝向下游侧变大的开口面积的开口部的所述第一喷嘴，向所述多个衬底供给所述原料气体，

在供给所述反应气体的工序中，从所述第二喷嘴供给所述反应气体并且从所述第一喷嘴供给非活性气体，根据期望的所述反应气体的分压均衡性，对从所述第一喷嘴供给的所述非活性气体的流量进行设定。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

在供给所述原料气体的工序中，从具备具有从上游侧朝向下游侧变大的开口面积的开口部的所述第一喷嘴，向所述多个衬底供给所述原料气体，

在供给所述反应气体的工序中，从所述第二喷嘴供给所述反应气体并且从所述第一喷嘴供给非活性气体，根据期望的所述反应气体的分压均衡性，分别对从所述第一喷嘴供给的所述非活性气体的流量及从所述第二喷嘴供给的所述非活性气体的流量进行设定。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

在供给所述原料气体的工序中，从具备具有从上游侧朝向下游侧变大的开口面积的开口部的所述第一喷嘴，向所述多个衬底供给所述原料气体，

在供给所述反应气体的工序中，从所述第二喷嘴供给所述反应气体并且从所述第一喷嘴供给非活性气体，根据期望的所述反应气体的分压均衡性，对所述反应气体的流量进行设定。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

在供给所述原料气体的工序中，从具备具有从上游侧朝向下游侧变大的开口面积的开口部的所述第一喷嘴，向所述多个衬底供给所述原料气体，

在供给所述反应气体的工序中，从所述第二喷嘴供给所述反应气体并且从所述第一喷嘴供给非活性气体，根据期望的所述反应气体的分压均衡性，分别对从所述第一喷嘴供给的所述非活性气体的流量、从所述第二喷嘴供给的所述非活性气体的流量及所述反应气体的流量进行设定。