[发明专利]一种具有V型槽的光伏电池及其制备方法

摘要

本发明涉及一种具有V型槽的光伏电池及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：对所述N型单晶硅片进行双面制绒处理；接着在所述N单晶硅片的上下表面分别形成多个平行排列的对应的第一V形槽和第二V形槽，在所述N型单晶硅片的上表面和下表面各沉积一氧化铝薄层；在所述N型单晶硅片的上下表面依次沉积相应的非晶硅层、透明导电层以及电极。本发明的光伏电池的结构新颖且光电转换效率优异。

主权项

1.一种具有V型槽的光伏电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：1)提供一N型单晶硅片，对所述单晶硅片进行双面制绒处理，在所述单晶硅片的上表面和下表面均形成绒面层；2)接着在所述N单晶硅片的上表面形成多个平行排列的第一V形槽，在所述单晶硅片的下表面形成多个平行排列的第二V形槽，所述第一V形槽的深度与所述N型单晶硅片的厚度的比值为0.65‑0.75，所述第二条形沟槽的深度与所述N型单晶硅片的厚度的比值为0.65‑0.75，多个所述第一V形槽和多个所述第二V形槽分别一一对应，所述第一V形槽的一个侧面与对应的所述第二V形槽的一个侧面平行，所述第一V形槽与对应的所述第二V形槽之间单晶硅层的厚度为40‑60微米；3)在所述N型单晶硅片的上表面和下表面各沉积一氧化铝薄层；4)接着在所述N型单晶硅片的上表面依次沉积第一本征非晶硅层和P型非晶硅层，；5)接着在所述N型单晶硅片的下表面依次沉积第二本征非晶硅层和N型非晶硅层；6)接着在所述N型单晶硅片的上表面沉积第一透明导电层；7)接着在所述N型单晶硅片的下表面沉积第二透明导电层；8)接着在所述N型单晶硅片的上表面形成正面电极；9)接着在所述N型单晶硅片的下表面形成背面电极。