[发明专利]一种具有V型槽的光伏电池及其制备方法

说明书

本发明涉及一种具有V型槽的光伏电池及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：对所述N型单晶硅片进行双面制绒处理；接着在所述N单晶硅片的上下表面分别形成多个平行排列的对应的第一V形槽和第二V形槽，在所述N型单晶硅片的上表面和下表面各沉积一氧化铝薄层；在所述N型单晶硅片的上下表面依次沉积相应的非晶硅层、透明导电层以及电极。本发明的光伏电池的结构新颖且光电转换效率优异。

技术领域

本发明涉及光伏电池技术领域，特别是涉及一种具有V型槽的光伏电池及其制备方法。

背景技术

随着人类社会的不断发展，对石油、煤炭等能源的需求也急剧增加。然而地球上的石油、煤炭等能源的总储藏量是有限的，且为不可再生能源，因而全球面临着严峻的能源形势。只有可再生能源的大规模使用以替代传统石化能源，才能促进人类社会的可持续发展。近年来，太阳能、风能和地热等新型可再生能源引起了人们的重视。与传统的占主导地位的石油、煤炭等能源相比，太阳能最大的优势在于其取之不尽，用之不竭，而且在使用过程中不会破坏生态平衡、污染环境。因此，太阳能是一种环境友好的绿色可再生能源。而光伏电池是一种能够将太阳的光能转换为电能的半导体器件，在光照条件下，太阳能电池内部会产生光生电流，并可以通过电极将电能输出。光伏电池的结构是影响其光电转换效率的关键因素，如何优化改善光伏电池的结构以提高光伏电池的光电转换效率，这是业界广泛关注的问题。

发明内容

本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种具有V型槽的光伏电池及其制备方法。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种具有V型槽的光伏电池的制备方法，包括以下步骤：

1)提供一N型单晶硅片，对所述单晶硅片进行双面制绒处理，在所述单晶硅片的上表面和下表面均形成绒面层；

2)接着在所述N单晶硅片的上表面形成多个平行排列的第一V形槽，在所述单晶硅片的下表面形成多个平行排列的第二V形槽，所述第一V形槽的深度与所述N型单晶硅片的厚度的比值为0.65-0.75，所述第二条形沟槽的深度与所述N型单晶硅片的厚度的比值为0.65-0.75，多个所述第一V形槽和多个所述第二V形槽分别一一对应，所述第一V形槽的一个侧面与对应的所述第二V形槽的一个侧面平行，所述第一V形槽与对应的所述第二V形槽之间单晶硅层的厚度为40-60微米；

3)在所述N单晶硅片的上表面和下表面各沉积一氧化铝薄层；

4)接着在所述N型单晶硅片的上表面依次沉积第一本征非晶硅层和P型非晶硅层，；

5)接着在所述N型单晶硅片的下表面依次沉积第二本征非晶硅层和N型非晶硅层；

6)接着在所述N型单晶硅片的上表面沉积第一透明导电层；

7)接着在所述N型单晶硅片的下表面沉积第二透明导电层；

8)接着在所述N型单晶硅片的上表面形成正面电极；

9)接着在所述N型单晶硅片的下表面形成背面电极。

作为优选，在所述步骤(2)中，所述第一V形槽以及所述第二V形槽的宽度均为1-2毫米，相邻所述第一V形槽的间距1-2毫米，相邻所述第二V形槽的间距为1-2毫米。

作为优选，在所述步骤(3)中，所述氧化铝薄层的厚度为0.5-1.5纳米。

作为优选，在所述步骤(4)中，所述第一本征非晶硅层的厚度为3-6纳米，所述P型非晶硅层的厚度为5-8纳米。

作为优选，在所述步骤(5)中，所述第二本征非晶硅层的厚度为7-10纳米，所述N型非晶硅层的厚度为7-10纳米。