[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201811029927.2 | 申请日： | 2018-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN110299411B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 河村圭子 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体装置具备第1半导体层、设置在上述第1半导体层上的第2半导体层、设置在上述第2半导体层上的第3半导体层、以及分别设置在具有从上述第3半导体层的上表面到上述第1半导体层之中的深度的多个沟槽的内部的多个控制电极。上述半导体装置还具备：设置在上述多个控制电极之中的相邻的第1控制电极以及第2控制电极之间的绝缘区域；设置在上述第1半导体层、上述第1控制电极以及上述第2控制电极与上述绝缘区域之间的第4半导体层；与上述第1控制电极以及上述第4半导体层相接的第1绝缘膜；以及与上述第2控制电极以及上述第4半导体层相接的第2绝缘膜。上述绝缘区域的上述第1半导体层中的端部位于比上述多个控制电极的上述第1半导体层中的端部低的层级。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中，具备：第1导电型的第1半导体层；第2导电型的第2半导体层，设置在上述第1半导体层上；第1导电型的第3半导体层，设置在上述第2半导体层上；多个控制电极，分别设置于具有从上述第3半导体层的上表面到达上述第1半导体层之中的深度的多个沟槽的内部，具有位于上述第1半导体层中的端部；绝缘区域，设置在上述多个控制电极之中的、在沿着上述第1半导体层与上述第2半导体层的界面的第1方向上相邻的第1控制电极与第2控制电极之间，在从上述第3半导体层朝向上述第1半导体层的第2方向上延伸，具有位于上述第1半导体层中的端部，该端部位于上述第2方向上比上述多个控制电极的端部的层级靠下的层级；第2导电型的第4半导体层，设置在上述绝缘区域与上述第1半导体层之间、上述绝缘区域与上述第1控制电极之间、以及上述绝缘区域与上述第2控制电极之间；第1绝缘膜，设置在上述第1控制电极与上述第4半导体层之间，位于上述第1控制电极以及上述第4半导体层之间的部分整体与上述第4半导体层相接；第2绝缘膜，设置在上述第2控制电极与上述第4半导体层之间，位于上述第2控制电极以及上述第4半导体层之间的部分整体与第4半导体层相接；以及第1电极，连接于上述第3半导体层以及上述第4半导体层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，未经株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811029927.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
