[发明专利]用于加工层结构的方法和微机电器件有效
申请号: | 201811027074.9 | 申请日: | 2018-09-04 |
公开(公告)号: | CN109422240B | 公开(公告)日: | 2023-09-01 |
发明(设计)人: | A·布罗克迈尔;W·弗里萨;D·莫勒 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B81B7/02 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑立柱;张鹏 |
地址: | 德国诺伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请提供了一种用于加工层结构的方法,其中层结构具有第一层、设置在第一层上方的牺牲层和设置在牺牲层上方的第二层,其中第二层具有至少一个开口,其中该至少一个开口从第二层的第一侧延伸到牺牲层,其中该方法包括:形成衬垫层,其覆盖至少一个开口的至少一个内壁;在衬垫层上方形成覆盖层,其中覆盖层至少部分地延伸到至少一个开口中;并且用蚀刻液对覆盖层、衬垫层和牺牲层进行湿化学蚀刻,其中蚀刻液对衬垫层的蚀刻速率大于对覆盖层的蚀刻速率。 | ||
搜索关键词: | 用于 加工 结构 方法 微机 器件 | ||
【主权项】:
1.一种用于加工层结构(100)的方法,其中所述层结构(100)具有第一层(102)、设置在所述第一层(102)上方的牺牲层(104)和设置在所述牺牲层(104)上方的第二层(106),其中所述第二层(106)具有至少一个开口(106h),其中所述至少一个开口(106h)从所述第二层(106)的第一侧(106a)延伸到所述牺牲层(104),所述方法包括:·形成衬垫层(108),所述衬垫层(108)覆盖所述至少一个开口(106h)的至少一个内壁(106w);·在所述衬垫层(108)上方形成覆盖层(110),其中所述覆盖层(110)至少部分地延伸到所述至少一个开口(106h)中;并且·用蚀刻液对所述覆盖层(110)、所述衬垫层(108)和所述牺牲层(104)进行湿化学蚀刻,其中所述蚀刻液对所述衬垫层(108)的蚀刻速率大于对所述覆盖层(110)的蚀刻速率。
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