[发明专利]用于加工层结构的方法和微机电器件

权利要求书

1.一种用于加工层结构(100)的方法，其中所述层结构(100)具有第一层(102)、设置在所述第一层(102)上方的牺牲层(104)和设置在所述牺牲层(104)上方的第二层(106)，其中所述第二层(106)具有至少一个开口(106h)，其中所述至少一个开口(106h)从所述第二层(106)的第一侧(106a)延伸到所述牺牲层(104)，所述方法包括：

·形成衬垫层(108)，所述衬垫层(108)覆盖所述至少一个开口(106h)的至少一个内壁(106w)；

·在所述衬垫层(108)上方形成覆盖层(110)，其中所述覆盖层(110)至少部分地延伸到所述至少一个开口(106h)中；并且

·从所述覆盖层(110)的上方用蚀刻液对所述覆盖层(110)、所述衬垫层(108)和所述牺牲层(104)进行湿化学蚀刻，

其中所述蚀刻液对所述衬垫层(108)的蚀刻速率大于对所述覆盖层(110)的蚀刻速率，使得在从所述至少一个开口(106h)完全去除所述覆盖层(110)之前，从所述至少一个开口(106h)完全去除所述衬垫层(108)以产生通向所述牺牲层(104)的沟道(108g)，并且使得在从所述至少一个开口(106h)完全去除所述覆盖层(110)之前，所述蚀刻液通过所述沟道(108g)至少部分地去除所述牺牲层(104)。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中所述湿化学蚀刻包括：从所述至少一个开口(106h)完全去除所述衬垫层(108)和所述覆盖层(110)，并且完全去除所述至少一个开口(106h)下方的区域中的所述牺牲层(104)。

3.根据权利要求1或2所述的方法，

其中所述湿化学蚀刻包括：在所述第一层(102)和所述第二层(106)之间形成空腔(104g)，其中所述第一层(102)的表面部分(102a)和所述第二层(106)的表面部分(106b)被暴露。

4.根据权利要求1或2所述的方法，

其中形成所述衬垫层(108)，使得所述衬垫层(108)进一步在所述至少一个开口(106h)之外的区域中至少部分地设置在所述第二层(106)的上方，并且其中在所述衬垫层(108)上形成所述覆盖层(110)，使得所述覆盖层(110)在所述至少一个开口(106h)之外的区域中设置在所述衬垫层(108)的上方。

5.根据权利要求1或2所述的方法，

其中所述衬垫层(108)具有非掺杂的氧化物材料；并且

其中所述覆盖层(110)具有掺杂的氧化物材料。

6.根据权利要求1或2所述的方法，

其中所述覆盖层(110)具有磷掺杂的氧化物材料；或者

其中所述覆盖层(110)具有掺杂硼和磷的氧化物材料。

7.根据权利要求1或2所述的方法，

其中所述蚀刻液为基于氢氟酸的蚀刻液。

8.根据权利要求1或2所述的方法，

其中所述第一层(102)具有半导体材料；和/或

其中所述第二层(106)具有半导体材料。

9.根据权利要求1或2所述的方法，

其中所述覆盖层(110)的层厚度大于所述衬垫层(108)的层厚度。

10.根据权利要求5所述的方法，

其中所述非掺杂的氧化物材料是非掺杂的氧化硅，所述掺杂的氧化物材料是掺杂的氧化硅。

11.根据权利要求6所述的方法，

其中所述磷掺杂的氧化物材料是磷掺杂的氧化硅，所述掺杂硼和磷的氧化物材料是掺杂硼和磷的氧化硅。

12.根据权利要求8所述的方法，

其中所述半导体材料是硅。