[发明专利]一种发光二极管的外延片的制备方法及外延片有效
| 申请号： | 201811015030.4 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109346567B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 刘春杨;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32;C30B25/02 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种发光二极管的外延片的制备方法及外延片，属于发光二极管技术领域。在生长InGaN/GaN的周期性结构时，会向反映腔内通入镓源，镓源与NH |
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| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上生长n型GaN层；在所述n型GaN层上生长InGaN/GaN周期型结构；在所述InGaN/GaN周期型结构上生长发光层；在所述发光层上生长p型GaN层；其中，所述InGaN/GaN周期型结构在N2和NH3的混合气体的氛围下进行生长。
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