[发明专利]一种发光二极管的外延片的制备方法及外延片

说明书

本发明公开了一种发光二极管的外延片的制备方法及外延片，属于发光二极管技术领域。在生长InGaN/GaN的周期性结构时，会向反映腔内通入镓源，镓源与NH₃进行反应生长GaN、H₂与甲烷的可逆反应。使InGaN/GaN的周期性结构在N₂与NH₃的混合气体下进行生长，相对于现有技术中使InGaN/GaN的周期性结构在N₂、NH₃及H₂的混合气体，本方案中避免向反映腔内通入H₂，进而促进了镓源与NH₃反应，使得镓源中的碳原子更多地会以甲烷的形式离开InGaN/GaN的周期性结构，InGaN/GaN的周期性结构中的碳原子减少，进而减少了InGaN/GaN的周期性结构中的缺陷源，InGaN/GaN的周期性结构的晶体中缺陷减少，发光二极管整体的晶体质量得到提高，发光二极管的发光效率得到提高。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，特别涉及一种发光二极管的外延片的制备方法及外延片。

背景技术

LED(LightEmittingDiode，发光二极管)具有体积小、寿命长、功耗低等优点，目前被广泛应用于汽车信号灯、交通信号灯、显示屏以及照明设备。

现有的LED的外延片主要包括衬底和依次层叠在衬底上的n型GaN层、应力释放层、发光层和p型GaN层，其中，应力释放层通常用于释放外延层中的应力，起到减少外延层中的缺陷的作用，应力释放层通常为InGaN/GaN的周期性结构。

现有的InGaN/GaN的周期性结构在反映腔内生长时，通常都是在N₂、NH₃及H₂的混合气体的氛围下进行生长的，而由于在InGaN/GaN的周期性结构生长时，会向反映腔内通入镓源，含有碳原子的镓源与NH₃反应生成GaN，因此在N₂、NH₃及H₂的混合气体的氛围下生长得到的InGaN/GaN的周期性结构中会存在一定的碳原子，碳原子作为杂质原子会成为缺陷源，使得InGaN/GaN的周期性结构的晶体中自身会存在一定的缺陷，InGaN/GaN的周期性结构减少外延层中的缺陷的作用有限，对发光二极管的发光效率的提高有限。

发明内容

本发明实施例提供了一种发光二极管的外延片的制备方法及外延片，能够进一步提高发光二极管的发光效率。所述技术方案如下：

本发明实施例提供了一种发光二极管的外延片的制备方法，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上生长n型GaN层；

在所述n型GaN层上生长InGaN/GaN周期型结构；

在所述InGaN/GaN周期型结构上生长发光层；

在所述发光层上生长p型GaN层；

其中，所述InGaN/GaN周期型结构在N₂和NH₃的混合气体的氛围下进行生长；

在所述InGaN/GaN周期型结构的生长过程中：

通入反应腔内的N₂的气体流量为100～240L/min，通入所述反应腔内的NH₃的气体流量为60～160L/min。

可选地，在所述InGaN/GaN周期型结构的生长过程中：

向所述反应腔内的通入的N₂的气体流量与NH₃的气体流量的比值为1:0.5～1:2。