[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201811014548.6 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109346566A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 郭炳磊;王群;葛永晖;吕蒙普;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、电子提供层、有源层和空穴提供层，所述电子提供层、所述有源层和所述空穴提供层依次层叠在所述衬底上，所述电子提供层包括第一子层以及插入在所述第一子层中的至少一个第二子层，所述第一子层的材料采用掺杂硅的氮化镓，所述第二子层的材料采用掺杂碳的氮化镓，所述第一子层的厚度大于所述电子提供层的厚度的1/2。本发明通过在掺杂硅的氮化镓层中插入至少一个掺杂碳的氮化镓层，实现电子的平面铺展，降低电子提供层的串联电阻，增强底层的抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 子层 电子提供层 氮化镓基发光二极管 外延片 空穴 氮化镓层 掺杂硅 氮化镓 衬底 源层 制备 掺杂 半导体技术领域 抗静电能力 串联电阻 依次层叠 铺展 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、电子提供层、有源层和空穴提供层，所述电子提供层、所述有源层和所述空穴提供层依次层叠在所述衬底上，其特征在于，所述电子提供层包括第一子层以及插入在所述第一子层中的至少一个第二子层，所述第一子层的材料采用掺杂硅的氮化镓，所述第二子层的材料采用掺杂碳的氮化镓，所述第一子层的厚度大于所述电子提供层的厚度的1/2。
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