[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201811014548.6 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109346566A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 郭炳磊;王群;葛永晖;吕蒙普;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 子层 电子提供层 氮化镓基发光二极管 外延片 空穴 氮化镓层 掺杂硅 氮化镓 衬底 源层 制备 掺杂 半导体技术领域 抗静电能力 串联电阻 依次层叠 铺展 | ||
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、电子提供层、有源层和空穴提供层，所述电子提供层、所述有源层和所述空穴提供层依次层叠在所述衬底上，其特征在于，所述电子提供层包括第一子层以及插入在所述第一子层中的至少一个第二子层，所述第一子层的材料采用掺杂硅的氮化镓，所述第二子层的材料采用掺杂碳的氮化镓，所述第一子层的厚度大于所述电子提供层的厚度的1/2。
2.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述第二子层的厚度为2nm～50nm。
3.根据权利要求2所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述第二子层的数量为3个～50个。
4.根据权利要求1～3任一项所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述第二子层中碳元素的掺杂浓度大于所述第一子层中硅元素的掺杂浓度。
5.根据权利要求4所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述第二子层中碳元素的掺杂浓度为1018cm-3～1020cm-3。
6.一种氮化镓基发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次形成电子提供层、有源层和空穴提供层；
其中，所述电子提供层包括第一子层以及插入在所述第一子层中的至少一个第二子层，所述第一子层的材料采用掺杂硅的氮化镓，所述第二子层的材料采用掺杂碳的氮化镓，所述第一子层的厚度大于所述电子提供层的厚度的1/2。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第二子层的形成过程包括：
生长未掺杂的氮化镓层；
采用离子注入技术在所述氮化镓层中掺杂碳，形成第二子层。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，离子注入的剂量为1018/cm2～1020/cm2，离子注入的能量为50keV～150keV。
9.根据权利要求7或8所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
对所述第二子层进行退火处理。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，退火处理的温度为800℃～950℃。
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