[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201811011119.3 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN110299410B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 井野恒洋;东悠介;沼田敏典;上牟田雄一 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H10B51/30 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式的半导体存储装置具备：半导体层；栅极电极，具有第1部分、在沿着半导体层的表面的方向上与第1部分相隔而设置的第2部分、及设置在第1部分与第2部分之间的间隔件；以及第1绝缘层，设置在半导体层与栅极电极之间，且具有包含铁电体、亚铁电体或反铁电体的第1区域、包含铁电体、亚铁电体或反铁电体的第2区域、及设置在第1区域与第2区域之间的交界区域；且第1区域位于第1部分与半导体层之间，第2区域位于第2部分与半导体层之间，交界区域位于间隔件与半导体层之间，且交界区域具有与间隔件不同的化学组成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，具备：半导体层；栅极电极，具有：第1部分；第2部分，在沿着所述半导体层的表面的方向上，与所述第1部分相隔而设置；及间隔件，设置在所述第1部分与所述第2部分之间；以及第1绝缘层，设置在所述半导体层与所述栅极电极之间，且具有：第1区域，包含铁电体、亚铁电体或反铁电体；第2区域，包含铁电体、亚铁电体或反铁电体；及交界区域，设置在所述第1区域与所述第2区域之间；且所述第1区域位于所述第1部分与所述半导体层之间，所述第2区域位于所述第2部分与所述半导体层之间，所述交界区域位于所述间隔件与所述半导体层之间，所述交界区域具有与所述间隔件不同的化学组成。
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