[发明专利]半导体存储装置

说明书

实施方式的半导体存储装置具备：半导体层；栅极电极，具有第1部分、在沿着半导体层的表面的方向上与第1部分相隔而设置的第2部分、及设置在第1部分与第2部分之间的间隔件；以及第1绝缘层，设置在半导体层与栅极电极之间，且具有包含铁电体、亚铁电体或反铁电体的第1区域、包含铁电体、亚铁电体或反铁电体的第2区域、及设置在第1区域与第2区域之间的交界区域；且第1区域位于第1部分与半导体层之间，第2区域位于第2部分与半导体层之间，交界区域位于间隔件与半导体层之间，且交界区域具有与间隔件不同的化学组成。

[相关申请]

本申请享有以日本专利申请2018-55401号(申请日：2018年3月23日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式主要涉及一种半导体存储装置。

背景技术

铁电存储器作为非易失性存储器而受到关注。尤其是，MFS(MetalFerroelectrics Semiconductor，金属-铁电体-半导体)结构的单晶体管型存储单元在例如NAND(Not And，与非)型闪速存储器中的应用受到期待。

关于NAND型闪速存储器，为了增加存储器容量，而不断推进存储单元的多值化。对MFS结构的存储单元也希望实现多值化。

发明内容

实施方式提供一种能够实现多值化的半导体存储装置。

实施方式的半导体存储装置具备：

半导体层；

栅极电极，具有：第1部分；第2部分，在沿着所述半导体层的表面的方向上，与所述第1部分相隔而设置；及间隔件，设置在所述第1部分与所述第2部分之间；以及

第1绝缘层，设置在所述半导体层与所述栅极电极之间，且具有：第1区域，包含铁电体、亚铁电体或反铁电体；第2区域，包含铁电体、亚铁电体或反铁电体；及交界区域，设置在所述第1区域与所述第2区域之间；且

所述第1区域位于所述第1部分与所述第1半导体层之间，所述第2区域位于所述第2部分与所述半导体层之间，所述交界区域位于所述间隔件与所述半导体层之间，且所述交界区域具有与所述间隔件不同的化学组成。

附图说明

图1是第1实施方式的半导体存储装置的示意剖视图。

图2是比较例的半导体存储装置的示意剖视图。

图3A、图3B是第1实施方式的半导体存储装置的作用及效果的说明图。

图4是第2实施方式的半导体存储装置的示意剖视图。

图5是第3实施方式的半导体存储装置的示意剖视图。

图6是第4实施方式的半导体存储装置的存储单元阵列的电路图。

图7是第4实施方式的半导体存储装置的存储器串的一部分的示意剖视图。

图8是第5实施方式的半导体存储装置的存储器串的一部分的示意剖视图。

图9是表示第5实施方式的半导体存储装置的制造方法的一例的示意剖视图。

图10是表示第5实施方式的半导体存储装置的制造方法的一例的示意剖视图。

图11是表示第5实施方式的半导体存储装置的制造方法的一例的示意剖视图。

图12是表示第5实施方式的半导体存储装置的制造方法的一例的示意剖视图。

图13是第6实施方式的半导体存储装置的存储器串MS的一部分的示意剖视图。

图14是第7实施方式的半导体存储装置的示意剖视图。