[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201811010724.9 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN110875390B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底以及位于衬底上多个分立的鳍部，衬底上形成有第一栅极结构和第二栅极结构，第一栅极结构横跨鳍部的栅极结构且覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁，第二栅极结构位于鳍部延伸方向的相邻鳍部之间的衬底上，第一栅极结构和第二栅极结构露出的衬底上形成有第一介质层，第一介质层覆盖第一栅极结构和第二栅极结构的侧壁；去除第二栅极结构，在第一介质层内形成第一开口；在第一开口内填充介电材料，第一开口内的介电材料用于作为隔离结构。本发明实施例通过使隔离结构的材料为介电材料，使隔离结构具有绝缘性，有利于避免源漏掺杂层和隔离结构发生短接的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811010724.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
