[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上多个分立的鳍部，所述衬底上形成有第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁，所述第二栅极结构位于所述鳍部延伸方向的相邻所述鳍部之间的衬底上，所述第一栅极结构和第二栅极结构露出的衬底上形成有第一介质层，所述第一介质层覆盖所述第一栅极结构和第二栅极结构的侧壁；

去除所述第二栅极结构，在所述第一介质层内形成第一开口；

在所述第一开口内填充介电材料，所述第一开口内的介电材料用于作为隔离结构，所述隔离结构具有绝缘特性。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述介电材料为氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、碳氮化硅或氮碳化硅硼。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一开口内填充介电材料的工艺为PECVD工艺、FCVD工艺或LPCVD工艺。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一介质层内形成第一开口后，在所述第一开口内填充介电材料之前，还包括：在所述第一开口内形成填充层；

在所述第一开口内形成填充层后，去除部分厚度的所述第一介质层，剩余第一介质层露出所述第一栅极结构和填充层的部分侧壁；

去除部分厚度的所述第一介质层后，去除所述填充层。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述填充层后，还包括：在所述剩余第一介质层上形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述剩余第一介质层露出的第一栅极结构侧壁；

在形成所述第二介质层的步骤中，在所述第一开口内形成所述隔离结构。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二介质层和隔离结构的步骤包括：在所述剩余第一介质层上形成覆盖所述第一栅极结构的介电材料，所述介电材料还填充于所述第一开口内；

对所述介电材料进行平坦化处理，在所述平坦化处理后，位于所述剩余第一介质层上的剩余介电材料作为第二介质层，且所述第二介质层覆盖所述剩余第一介质层露出的第一栅极结构侧壁，位于所述第一开口内的介电材料作为隔离结构。

7.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一开口内形成填充层的工艺为原子层沉积工艺。

8.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述填充层的材料为有机材料。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述填充层的工艺为灰化工艺或干法刻蚀工艺。

10.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述填充层的材料为BARC材料、ODL材料、光刻胶或DUO材料。

11.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除部分厚度的所述第一介质层后，所述剩余第一介质层的厚度为至

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第二栅极结构的工艺为干法刻蚀工艺。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述隔离结构后，还包括：依次刻蚀所述第一栅极结构两侧的第一介质层和鳍部，在所述第一栅极结构两侧的鳍部内形成凹槽；

在所述凹槽内形成源漏掺杂层。