[发明专利]发光二极管外延片的金属有机化合物化学气相沉淀方法在审
| 申请号： | 201811005123.9 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN109346565A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 丁涛;韦春余;周飚;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;C23C16/30 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片的金属有机化合物化学气相沉淀方法，属于发光二极管技术领域。方法包括：打开金属有机化合物化学气相沉淀MOCVD设备的反应室；反应室内设有放置衬底的托盘，托盘包括内圈区域和外圈区域，内圈区域为位于托盘的中心的圆形区域，外圈区域为环绕内圈区域的圆环区域；在内圈区域放置若干第一图形化蓝宝石衬底PSS，在外圈区域放置若干第二PSS；第一PSS的数量大于或等于4，第二PSS的数量大于或等于10；第一PSS的底宽小于第二PSS的底宽，底宽为PSS的图形的最大横向尺寸；关闭反应室；对托盘进行加热，并驱动托盘旋转；在托盘上放置的各个衬底上沉积外延层，外延层包括顺次层叠的n型GaN层、发光层和p型GaN层。 | ||
| 搜索关键词： | 托盘 金属有机化合物 外圈区域 衬底 底宽 内圈 发光二极管外延 沉淀 反应室 外延层 发光二极管技术 图形化蓝宝石 圆环区域 圆形区域 发光层 沉积 加热 环绕 室内 驱动 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片的金属有机化合物化学气相沉淀方法，其特征在于，所述方法包括：打开金属有机化合物化学气相沉淀MOCVD设备的反应室；所述反应室内设有放置衬底的托盘，所述托盘包括内圈区域和外圈区域，所述内圈区域为位于所述托盘的中心的圆形区域，所述外圈区域为环绕所述内圈区域的圆环区域；在所述内圈区域放置若干第一图形化蓝宝石衬底PSS，在所述外圈区域放置若干第二PSS；所述第一PSS的数量大于或等于4，所述第二PSS的数量大于或等于10；所述第一PSS的底宽小于所述第二PSS的底宽，所述底宽为PSS的图形的最大横向尺寸；关闭所述反应室；对所述托盘进行加热，并驱动所述托盘旋转；在所述托盘上放置的各个衬底上沉积外延层，所述外延层包括顺次层叠的n型GaN层、发光层和p型GaN层。
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