[发明专利]发光二极管外延片的金属有机化合物化学气相沉淀方法

权利要求书

1.一种发光二极管外延片的金属有机化合物化学气相沉淀方法，其特征在于，所述方法包括：

打开金属有机化合物化学气相沉淀MOCVD设备的反应室；所述反应室内设有放置衬底的托盘，所述托盘包括内圈区域和外圈区域，所述内圈区域为位于所述托盘的中心的圆形区域，所述外圈区域为环绕所述内圈区域的圆环区域，所述托盘还包括中圈区域，中圈区域位于外圈区域与内圈区域之间，中圈区域为环绕内圈区域的圆环区域；

在所述内圈区域放置若干第一图形化蓝宝石衬底PSS，在所述外圈区域放置若干第二PSS；第一PSS的数量大于或等于4，所述第二PSS的数量大于或等于10；所述第一PSS的底宽小于所述第二PSS的底宽，所述底宽为PSS的图形的最大横向尺寸，在所述中圈区域放置若干第三PSS；所述第三PSS的数量大于或等于10，所述第二PSS的数量大于或等于17；所述第一PSS的底宽小于所述第三PSS的底宽，所述第三PSS的底宽小于所述第二PSS的底宽；所述第一PSS的底宽与所述第三PSS的底宽的差值、以及所述第三PSS的底宽与所述第二PSS的底宽的差值均为d2，0d20.2μm；所述第一PSS、所述第二PSS、以及所述第三PSS的底宽为如下五种底宽中的任意三种：2.65～2.7μm，2.7～2.75μm，2.75～2.8μm，2.8～2.85μm、以及2.85～2.9μm；所述第一PSS、所述第二PSS、以及所述第三PSS的图形的高度均为1.6～1.8μm；所述第一PSS的图形间的间距是2.8μm，所述第二PSS的图形间的间距是3.0μm，所述第三PSS的图形间的间距是2.9μm；

关闭所述反应室；

对所述托盘进行加热，并驱动所述托盘旋转；

在所述托盘上放置的各个衬底上沉积外延层，所述外延层包括顺次层叠的n型GaN层、发光层和p型GaN层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述打开金属有机化合物化学气相沉淀MOCVD设备的反应室之前，所述方法还包括：

采用物理气相沉积方法分别在各个所述第一PSS和各个所述第二PSS上沉积AlN层，所述外延层位于所述AlN层之上。