[发明专利]一种具有三维插层结构的多酸基晶体材料及其制备方法

摘要

一种具有三维插层结构的多酸基晶体材料及其制备方法，本发明涉及一种具有光催化分解水制氢气效果的三维插层结构的多酸基晶体材料。本发明的目的是解决现有技术合成的多酸基无机‑有机杂化材料大多没有开放式孔道，导致客体分子不能接近催化中心，催化效果不佳，且不具有在氙灯照射下分解水制氢气的效果等问题。设计与研制了一种具有三维插层结构的多酸基晶体材料的化学式为[CuⅡ5(2‑ptza)6(H2O)4(GeW12O40)]·4H2O。方法：将锗钨酸、硝酸铜、5‑（2‑吡啶）‑四氮唑有机配体溶解到去离子水中，调节pH值，再在温度为120℃下反应3天。本发明可获得一种具有光催化分解水制氢气效果的三维插层结构的多酸基晶体材料。

主权项

1.一种具有光催化分解水制氢气效果的三维插层结构的多酸基晶体材料，其特征在于一种具有光催化分解水制氢气效果的三维插层结构的多酸基晶体材料的化学式为[CuⅡ5(2‑ptza)6(H2O)4(GeW12O40)]·4H2O，其中，2‑ptza为5‑（2‑吡啶）‑四氮唑；晶系为三斜；空间群为P‑1，单胞参数为a=104.873(5)，b=111.480(5)，g=105.681(5)，a=12.203(5) Å，b=13.495(5) Å ，c=14.262(5) Å，z=1。