[发明专利]长晶炉校验系统和长晶炉校验方法有效

专利信息
申请号: 201810997982.4 申请日: 2018-08-29
公开(公告)号: CN109023512B 公开(公告)日: 2020-07-17
发明(设计)人: 凌志鹏;朴星昱;车贤湖 申请(专利权)人: 上海新昇半导体科技有限公司
主分类号: C30B15/20 分类号: C30B15/20;C30B15/32
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 刘翔
地址: 201306 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种长晶炉校验系统和一种利用所述校验系统的长晶炉校验方法。所述校验系统包括设置于基座上表面中心点的第一激光源以及水平设置于基座上方的半透明挡板,打开第一激光源且令基座绕旋转轴旋转,通过第一激在半透明挡板上形成的第一光斑的运动轨迹来调整基座的水平程度。所述校验系统还可用于校验基座与籽晶夹头的同心程度,设置于籽晶夹头上的第二激光源在半透明挡板上形成第二光斑,通过第一光斑和第二光斑的重合程度调整基座与籽晶夹头的同心程度。本发明的长晶炉校验方法利用上述校验系统,由于激光束的位置和运动轨迹较容易分辨,因而可提高校验的准确性和效率。
搜索关键词: 长晶炉 校验 系统 方法
【主权项】:
1.一种长晶炉校验系统,用于校验位于长晶炉腔室内的基座的水平程度,所述基座可绕纵向设置的旋转轴旋转,其特征在于,所述校验系统包括:第一激光源,所述第一激光源设置于所述基座的上表面中心点,由所述第一激光源发出的第一激光束沿远离所述基座的方向并与所述基座的上表面垂直;以及半透明挡板,所述半透明挡板沿水平方向设置于所述基座的上方;其中,校验时,打开所述第一激光源,且令所述基座绕所述旋转轴旋转,所述第一激光束在所述半透明挡板上形成第一光斑,通过所述第一光斑的运动轨迹来调整所述基座的水平程度。
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