[发明专利]长晶炉校验系统和长晶炉校验方法有效

专利信息
申请号: 201810997982.4 申请日: 2018-08-29
公开(公告)号: CN109023512B 公开(公告)日: 2020-07-17
发明(设计)人: 凌志鹏;朴星昱;车贤湖 申请(专利权)人: 上海新昇半导体科技有限公司
主分类号: C30B15/20 分类号: C30B15/20;C30B15/32
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 刘翔
地址: 201306 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 长晶炉 校验 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种长晶炉校验系统,用于校验位于长晶炉腔室内的基座的水平程度以及所述基座与位于长晶炉腔室内的籽晶夹头的同心程度,所述基座可绕纵向设置的旋转轴旋转,其特征在于,所述校验系统包括:

第一激光源,所述第一激光源设置于所述基座的上表面中心点,由所述第一激光源发出的第一激光束沿远离所述基座的方向并与所述基座的上表面垂直;

半透明挡板,所述半透明挡板沿水平方向设置于所述基座的上方且位于所述籽晶夹头的下方;其中,校验所述基座的水平程度时,打开所述第一激光源,且令所述基座绕所述旋转轴旋转,所述第一激光束在所述半透明挡板上形成第一光斑,通过所述第一光斑的运动轨迹来调整所述基座的水平程度;以及

第二激光源,所述第二激光源设置于所述籽晶夹头上,所述第二激光源所发出的第二激光束沿所述籽晶夹头的纵向轴线朝向所述半透明挡板,所述第二激光束在所述半透明挡板上形成第二光斑;其中,校验所述基座与所述籽晶夹头的同心程度时,打开所述第一激光源和所述第二激光源,通过所述第一光斑和所述第二光斑的重合程度来调整所述基座与所述籽晶夹头的同心程度。

2.如权利要求1所述的校验系统,其特征在于,所述旋转轴的延长线与所述半透明挡板所在平面相交于一垂点,所述半透明挡板上设置有以所述垂点为中心的对位标记。

3.如权利要求2所述的校验系统,其特征在于,所述对位标记包括三角形、方形、菱形、五边形、六边形、十字形、米字形、弧形、圆形、椭圆形中的一个或者多个的组合。

4.如权利要求2所述的校验系统,其特征在于,所述对位标记为以所述垂点为圆心的圆形,在校验时,当所述第一光斑的运动轨迹位于所述圆形范围内时,判断所述基座的水平程度通过校验。

5.如权利要求1所述的校验系统,其特征在于,所述第二光斑与所述第一光斑均位于所述半透明挡板的远离所述基座的表面。

6.如权利要求1所述的校验系统,其特征在于,所述第一激光束和所述第二激光束的波长差大于或等于30nm。

7.如权利要求1所述的校验系统,其特征在于,所述第一激光源和所述第二激光源均为激光笔。

8.如权利要求1所述的校验系统,其特征在于,所述半透明挡板对于所述第一激光束和/或所述第二激光束的透光率为40%~60%。

9.一种长晶炉校验方法,利用如权利要求1、权利要求5至8中的任一项所述的校验系统,用于校验所述基座的水平程度以及所述基座与所述籽晶夹头的同心程度,其特征在于,所述校验方法包括:

打开所述第一激光源,且令所述基座绕所述旋转轴旋转,以在所述半透明挡板上显示出所述第一光斑的运动轨迹,通过所述第一光斑的运动轨迹来调整所述基座的水平程度;以及

打开所述第二激光源,以在所述半透明挡板上同时显示出所述第一光斑和所述第二光斑,通过所述第一光斑和所述第二光斑的重合程度来调整所述基座与所述籽晶夹头的同心程度。

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