[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810996433.5 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110875381B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 钱洪途 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底、形成在衬底上的外延多层结构、以及形成在外延多层结构上的栅极结构，栅极结构嵌置于外延多层结构内，外延多层结构包括氮化镓沟道层，栅极结构包括栅极沟道层和栅极势垒层，栅极沟道层的面向衬底的第一表面至少延伸至氮化镓沟道层内。本发明实现了对半导体器件的阈值电压的精确控制，降低导通电阻，提高了阈值电压均匀性和电子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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