[发明专利]集成电路及其制造方法有效
| 申请号： | 201810994566.9 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109427810B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 吴云骥;徐丞伯;刘建宏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L21/28;H01L29/43 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请的各个实施例针对包括具有大操作窗口和高擦除速度的存储单元的集成电路(IC)及其制造方法。在一些实施例中，IC包括半导体衬底和存储单元。存储单元包括控制栅电极、选择栅电极、电荷捕获层和共用源极/漏极。共用源极/漏极由半导体衬底限定并且是n型。控制栅电极和选择栅电极位于半导体衬底上面并且分别位于共用源极/漏极的相对两侧上。此外，控制栅电极位于电荷捕获层上面并且包括具有p型功函的金属。在一些实施例中，选择栅电极包括具有n型功函的金属。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路(IC)，包括：半导体衬底；以及存储单元，位于所述半导体衬底上，其中，所述存储单元包括控制栅电极、选择栅电极、电荷捕获层和共用源极/漏极，其中，所述共用源极/漏极位于所述半导体衬底中并且具有第一掺杂类型，其中，所述控制栅电极和所述选择栅电极位于所述半导体衬底上面并且分别位于所述共用源极/漏极的相对两侧上，所述控制栅电极位于所述电荷捕获层上面并且包括具有第二掺杂类型的功函的金属，以及所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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