[发明专利]顶层金属键合垫的引出结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201810992761.8 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109166838A | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 遇寒;蔡莹;周正良 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种顶层金属键合垫的引出结构，顶层金属键合垫由表面形成有TiN层的顶层金属层进行光刻刻蚀形成，引出结构包括第一窗口和第二窗口，第二窗口位于第一窗口内；在TiN层的表面形成有第一介质层，第一窗口由对第一窗口区域的第一介质层和TiN层进行刻蚀并完全去除形成；在第一窗口外的第一介质层的表面以及第一窗口的侧面和第一窗口底部的顶层金属层的表面形成有第二介质层，第二窗口由对第二窗口区域的第二介质层进行刻蚀并完全去除形成；在第二窗口的侧面和所述第一窗口的侧面之间保留有第二介质层并组成隔离结构。本发明还公开了一种顶层金属键合垫的引出结构的制造方法。本发明能防止TiN层被氟腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 介质层 金属键合 引出结构 顶层 表面形成 顶层金属层 窗口区域 侧面 刻蚀 去除 隔离结构 制造 腐蚀 保留 | ||
【主权项】：
1.一种顶层金属键合垫的引出结构，其特征在于，包括：顶层金属键合垫由表面形成有TiN层的顶层金属层进行光刻刻蚀形成；所述顶层金属键合垫的顶部形成有引出结构，所述引出结构用于将所述顶层金属键合垫和外部电极连接；所述引出结构包括第一窗口和第二窗口，所述第二窗口的横向尺寸小于所述第一窗口的横向尺寸且所述第二窗口位于所述第一窗口内；在所述TiN层的表面形成有第一介质层，所述第一窗口由对所述第一窗口区域的所述第一介质层和所述TiN层进行刻蚀并完全去除形成，所述第一窗口内直接露出所述顶层金属层的表面；在所述第一窗口外的所述第一介质层的表面以及所述第一窗口的侧面和所述第一窗口底部的所述顶层金属层的表面形成有第二介质层，所述第二窗口由对所述第二窗口区域的所述第二介质层进行刻蚀并完全去除形成，所述第二窗口内直接露出所述顶层金属层的表面；在所述第二窗口的侧面和所述第一窗口的侧面之间保留有所述第二介质层并由保留的所述第二介质层组成隔离结构，所述隔离结构防止所述TiN暴露在所述第二窗口内，从而防止所述TiN层被氟腐蚀。
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