[发明专利]顶层金属键合垫的引出结构及其制造方法

说明书

本发明公开了一种顶层金属键合垫的引出结构，顶层金属键合垫由表面形成有TiN层的顶层金属层进行光刻刻蚀形成，引出结构包括第一窗口和第二窗口，第二窗口位于第一窗口内；在TiN层的表面形成有第一介质层，第一窗口由对第一窗口区域的第一介质层和TiN层进行刻蚀并完全去除形成；在第一窗口外的第一介质层的表面以及第一窗口的侧面和第一窗口底部的顶层金属层的表面形成有第二介质层，第二窗口由对第二窗口区域的第二介质层进行刻蚀并完全去除形成；在第二窗口的侧面和所述第一窗口的侧面之间保留有第二介质层并组成隔离结构。本发明还公开了一种顶层金属键合垫的引出结构的制造方法。本发明能防止TiN层被氟腐蚀。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种顶层金属键合垫的引出结构。本发明还涉及一种顶层金属键合垫的引出结构的制造方法。

背景技术

射频横向双扩散场效应管(RFLDMOS)具有高工作频率、高耐压、高输出功率、高增益、高线性等优点，被广泛应用在移动发射基站、广播电视发射基站等，宽带频率调制发射机，机载应答器，雷达系统等；基于其应用领域，产品的可靠性要求较高，其中有一个高温湿高电压加速应力测试，高温湿高电压的条件如温度为160度，湿度为85％，漏端偏置电压为56伏即80％的击穿电压，高温湿高电压加速应力测试是在高温高湿度及漏端偏压下对封装产品进行的测试；在此测试条件下，芯片表面的痕量氟离子和顶层金属层表面的氮化钛会产生电化学反应，对金属表面形成腐蚀。

去除顶层金属层表面的氮化钛可以避免电化学反应的发生，但这会引起两个问题，一是氮化钛是抗反射层，去除后会对顶层金属层的光刻造成影响，二是RFLDMOS是由并联的多指栅形成的功率器件，器件宽度较大，而每指漏极的工作电流较大，去除表面氮化钛会影响器件的电迁移能力。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种顶层金属键合垫的引出结构，能防止顶层金属层表面的TiN直接暴露，从而能防止TiN被氟腐蚀；同时能在顶层金属层的表面保留TiN，提高对顶层金属层的光刻能力以及提高器件的电迁移能力。为此，本发明还提供一种顶层金属键合垫的引出结构的制造方法。

为解决上述技术问题，本发明提供的顶层金属键合垫的引出结构包括：

顶层金属键合垫由表面形成有TiN层的顶层金属层进行光刻刻蚀形成。

所述顶层金属键合垫的顶部形成有引出结构，所述引出结构用于将所述顶层金属键合垫和外部电极连接。

所述引出结构包括第一窗口和第二窗口，所述第二窗口的横向尺寸小于所述第一窗口的横向尺寸且所述第二窗口位于所述第一窗口内。

在所述TiN层的表面形成有第一介质层，所述第一窗口由对所述第一窗口区域的所述第一介质层和所述TiN层进行刻蚀并完全去除形成，所述第一窗口内直接露出所述顶层金属层的表面。

在所述第一窗口外的所述第一介质层的表面以及所述第一窗口的侧面和所述第一窗口底部的所述顶层金属层的表面形成有第二介质层，所述第二窗口由对所述第二窗口区域的所述第二介质层进行刻蚀并完全去除形成，所述第二窗口内直接露出所述顶层金属层的表面。

在所述第二窗口的侧面和所述第一窗口的侧面之间保留有所述第二介质层并由保留的所述第二介质层组成隔离结构，所述隔离结构防止所述TiN暴露在所述第二窗口内，从而防止所述TiN层被氟腐蚀。

进一步的改进是，所述顶层金属键合垫为RFLDMOS的顶层金属电极对应的顶层金属键合垫。

进一步的改进是，所述RFLDMOS由多个单元结构并联而成；所述RFLDMOS的各单元结构包括由所述顶层金属层图形化形成的源极、栅极和漏极。

进一步的改进是，由所述RFLDMOS的各单元结构的所述源极、所述栅极和所述漏极组成所述RFLDMOS的顶层金属电极。