[发明专利]刻蚀设备以及晶边刻蚀方法在审
| 申请号： | 201810988801.1 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109148252A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 陈峰;李天慧;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/3065;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 杨楷;毛立群 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体加工设备技术领域，公开了一种去除晶圆背面缺陷的刻蚀设备以及晶边刻蚀方法。具体的刻蚀设备包括相对设置的上台体与下台体，在上台体、下台体相对的两侧相对应地设置有上电极以及下电极，在下电极上设置有用于承托晶圆的基座，还包括用于刻蚀晶圆的上下边缘的刻蚀气体供给组件。在进行晶边刻蚀时，将晶圆放置于基座上，上台体带动上电极向下运动，压住并覆盖在晶圆的中心，刻蚀气体供给组件朝向晶圆的上下边缘通气，同时刻蚀并清除晶圆的上下边缘处的缺陷，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 刻蚀 刻蚀设备 上下边缘 电极 上台体 供给组件 刻蚀气体 下台体 半导体加工设备 产品良率 晶圆背面 相对设置 向下运动 下电极 承托 压住 去除 通气 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀设备，包括相对设置的上台体与下台体，在所述上台体、下台体相对的两侧相对应地设置有上电极以及下电极，在所述下电极上设置有用于承托晶圆的基座，其特征在于，还包括用于刻蚀晶圆的上下边缘的刻蚀气体供给组件。
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