[发明专利]刻蚀设备以及晶边刻蚀方法在审

专利信息
申请号: 201810988801.1 申请日: 2018-08-28
公开(公告)号: CN109148252A 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: 陈峰;李天慧;黄晓橹 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/3065;H01L21/66
代理公司: 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 代理人: 杨楷;毛立群
地址: 223300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 晶圆 刻蚀 刻蚀设备 上下边缘 电极 上台体 供给组件 刻蚀气体 下台体 半导体加工设备 产品良率 晶圆背面 相对设置 向下运动 下电极 承托 压住 去除 通气 覆盖
【权利要求书】:

1.一种刻蚀设备,包括相对设置的上台体与下台体,在所述上台体、下台体相对的两侧相对应地设置有上电极以及下电极,在所述下电极上设置有用于承托晶圆的基座,其特征在于,还包括用于刻蚀晶圆的上下边缘的刻蚀气体供给组件。

2.根据权利要求1所述的刻蚀设备,其特征在于,所述刻蚀气体供给组件包括第一气源、第二气源以及与所述第一气源、第二气源相连通的第一气道、第二气道,所述第一气道、第二气道的出气口分别对应于晶圆的上下边缘。

3.根据权利要求1所述的刻蚀设备,其特征在于,所述刻蚀气体供给组件包括主气源以及与所述主气源相连通的主气道,所述主气道连通有用于到达晶圆的上下边缘并进行刻蚀的刻蚀部件。

4.根据权利要求3所述的刻蚀设备,其特征在于,所述刻蚀部件包括第一喷头以及用于驱动所述第一喷头在晶圆的上下边缘运动的驱动件。

5.根据权利要求3所述的刻蚀设备,其特征在于,所述刻蚀部件包括至少两个第二喷头,所述第二喷头分别对应于晶圆的上下边缘。

6.根据权利要求1-5中的任一项所述的刻蚀设备,其特征在于,所述刻蚀气体供给组件包括用于控制刻蚀气体喷气量的调节阀。

7.根据权利要求1-5中的任一项所述的刻蚀设备,其特征在于,还包括控制器以及用于检测晶圆上下边缘处缺陷的检测部件;

所述刻蚀气体供给组件以及所述检测部件均与所述控制器通信连接。

8.一种晶边刻蚀方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤S1:将晶圆放置于基座上;

步骤S2:利用权利要求1所述的刻蚀设备对晶圆的上下边缘进行刻蚀。

9.根据权利要求8所述的晶边刻蚀方法,其特征在于,所述刻蚀设备包括刻蚀部件,所述刻蚀部件包括第一喷头以及用于驱动所述第一喷头在晶圆的上下边缘运动的驱动件,在步骤S2中,利用改变第一喷头的位置以及方向,对晶圆的上下边缘进行刻蚀。

10.根据权利要求9所述的晶边刻蚀方法,其特征在于,所述刻蚀部件包括至少两个第二喷头,两个所述第二喷头分别对应于晶圆的上下边缘,在步骤S2中,利用对应于晶圆上下边缘的两个第二喷头,对晶圆的上下边缘进行刻蚀。

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