[发明专利]用于晶体管的基板接点

摘要

本公开涉及用于晶体管的基板接点。在一些实施例中，通过形成第一栅极结构和第二栅极结构来形成基板接点。在晶片的第一区域中的第一容积中形成所述第一栅极结构，且在所述晶片的第二区域中的第二容积中形成所述第二栅极结构。在所述晶片的第一区域中从所述晶片移除栅极电介质，但所述栅极电介质存留在所述第二区域中。针对所述栅极结构形成第一侧壁间隔物且针对所述第二栅极结构形成第二侧壁间隔物。在一些实施例中，可利用所述第一栅极结构作为基板接点，且可利用所述第二栅极结构作为晶体管的栅极。在其它实施例中，可移除所述第一栅极结构和所述第二栅极结构，且可在开口中沉积金属栅极材料以用于分别形成基板接点和金属栅极。

主权项

1.一种形成晶体管的方法，其特征在于，包括：在晶片的基板上方形成栅极电介质材料层；在所述栅极电介质材料层上方形成栅极材料层；图案化所述栅极材料层以形成第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构占据所述晶片的第一容积，且所述第二栅极结构占据所述晶片的第二容积；针对所述第一栅极结构形成第一侧壁间隔物且针对所述第二栅极结构形成第二侧壁间隔物；从所述晶片的区域移除所述栅极电介质材料，所述晶片的所述第一容积在所述区域正上方；其中基板接点包括位于所述第一容积中的至少一部分，其中晶体管的栅极包括位于所述第二容积中的至少一部分。