[发明专利]用于晶体管的基板接点

说明书

本公开涉及用于晶体管的基板接点。在一些实施例中，通过形成第一栅极结构和第二栅极结构来形成基板接点。在晶片的第一区域中的第一容积中形成所述第一栅极结构，且在所述晶片的第二区域中的第二容积中形成所述第二栅极结构。在所述晶片的第一区域中从所述晶片移除栅极电介质，但所述栅极电介质存留在所述第二区域中。针对所述栅极结构形成第一侧壁间隔物且针对所述第二栅极结构形成第二侧壁间隔物。在一些实施例中，可利用所述第一栅极结构作为基板接点，且可利用所述第二栅极结构作为晶体管的栅极。在其它实施例中，可移除所述第一栅极结构和所述第二栅极结构，且可在开口中沉积金属栅极材料以用于分别形成基板接点和金属栅极。

技术领域

本发明大体上涉及晶体管，且更特定地涉及用于晶体管的基板接点。

背景技术

集成电路包括用于集成电路的基板中的区的晶体管和接点结构。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供一种形成晶体管的方法，包括：

在晶片的基板上方形成栅极电介质材料层；

在所述栅极电介质材料层上方形成栅极材料层；

图案化所述栅极材料层以形成第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构占据所述晶片的第一容积，且所述第二栅极结构占据所述晶片的第二容积；

针对所述第一栅极结构形成第一侧壁间隔物且针对所述第二栅极结构形成第二侧壁间隔物；

从所述晶片的区域移除所述栅极电介质材料，所述晶片的所述第一容积在所述区域正上方；

其中基板接点包括位于所述第一容积中的至少一部分，其中晶体管的栅极包括位于所述第二容积中的至少一部分。

在一个或多个实施例中，所述基板接点被表征为所述晶体管的电流端区接点。

在一个或多个实施例中，所述图案化包括形成占据所述晶片的第三容积的第三栅极结构；

所述针对所述第一栅极结构形成所述第一侧壁间隔物且针对所述第二栅极结构形成所述第二侧壁间隔物进一步包括针对所述第三栅极结构形成第三侧壁间隔物；

所述移除所述栅极电介质材料层包括从所述晶片的第二区域移除所述栅极电介质材料层，所述晶片的所述第三容积在所述第二区域正上方；

其中第二基板接点包括位于所述第三容积中的至少一部分。

在一个或多个实施例中，所述基板接点被表征为所述晶体管的第一电流端区接点，且所述第二基板接点被表征为所述晶体管的第二电流端区接点。

在一个或多个实施例中，所述晶体管的第一电流端区、所述晶体管的第二电流端区和所述晶体管的沟道区位于所述晶片的半导体鳍片结构中。

在一个或多个实施例中，所述方法进一步包括：

在所述图案化之后在所述晶片的基板上生长外延半导体材料，其中所述晶体管的第一电流端区和所述晶体管的第二电流端区各自包括所述外延半导体材料的部分。

在一个或多个实施例中，所述从所述晶片的所述区域移除所述栅极电介质材料层是在所述在所述栅极电介质材料层上方形成所述栅极材料层之前执行。

在一个或多个实施例中，所述从所述晶片的所述区域移除所述栅极电介质材料层是在所述在所述栅极电介质材料层上方形成栅极材料层之后执行。

在一个或多个实施例中，所述方法进一步包括：

在针对所述第一栅极结构形成所述第一侧壁间隔物且针对所述第二栅极结构形成所述第二侧壁间隔物之后，移除所述第一栅极结构和所述第二栅极结构；