[发明专利]一种半导体结构以及测量栅源极电压的方法

摘要

本发明涉及一种半导体结构，包括：晶体管、第一电路及N个第二电路，N为大于1的自然数；所述晶体管包括形成于一衬底或外延层上的栅极以及位于所述栅极两侧的衬底或外延层中的源极和漏极，所述栅极与所述衬底或所述外延层之间具有一栅极氧化层，所述第一电路及所述第二电路均并联于所述晶体管的栅极和源极之间；所述第一电路包括第一二极管组，所述第一二极管组具有比所述栅极氧化层击穿电压低的第一反向耐压，所述第一二极管组包括至少一个第一二极管；所述第二电路包括具有第二二极管组以及与所述第二二极管组串联的保险丝；第一个到第N个第二电路对应的第二二极管组的第二反向耐压依次增加且均小于所述第一反向耐压。

主权项

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：晶体管、第一电路及N个第二电路，N为大于1的自然数；所述晶体管包括形成于一衬底或外延层上的栅极以及位于所述栅极两侧的衬底或外延层中的源极和漏极，所述栅极与所述衬底或所述外延层之间具有一栅极氧化层，所述第一电路及所述第二电路均并联于所述晶体管的栅极和源极之间；所述第一电路包括第一二极管组，所述第一二极管组具有比所述栅极氧化层击穿电压低的第一反向耐压，所述第一二极管组包括至少一个第一二极管；所述第二电路包括具有第二二极管组以及与所述第二二极管组串联的保险丝；第一个到第N个第二电路对应的第二二极管组的第二反向耐压依次增加且均小于所述第一反向耐压，所述第二电路包括至少一个第二二极管；当任一所述第二电路对应的第二二极管全部被反向击穿时，其对应的保险丝熔断。