[发明专利]一种半导体结构以及测量栅源极电压的方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：晶体管、第一电路及N个第二电路，N为大于1的自然数；

所述晶体管包括形成于一衬底或外延层上的栅极以及位于所述栅极两侧的衬底或外延层中的源极和漏极，所述栅极与所述衬底或所述外延层之间具有一栅极氧化层，所述第一电路及所述第二电路均并联于所述晶体管的栅极和源极之间；

所述第一电路包括第一二极管组，所述第一二极管组具有比所述栅极氧化层击穿电压低的第一反向耐压，所述第一二极管组包括至少一个第一二极管；

所述第二电路包括具有第二二极管组以及与所述第二二极管组串联的保险丝；第一个到第N个第二电路对应的第二二极管组的第二反向耐压依次增加且均小于所述第一反向耐压，所述第二电路包括至少一个第二二极管；

当任一所述第二电路对应的第二二极管全部被反向击穿时，其对应的保险丝熔断。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电路包括多个第一二极管，多个所述第一二极管在电流相反的方向上以极性一致的方式串联连接。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，当每个第二电路对应的第二二极管组的第二二极管为多个时，每个第二电路对应的多个所述第二二极管在电流相反的方向上以极性一致的方式串联连接。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述晶体管为N型MOS晶体管，所述第一二极管的阴极与所述栅极连接，所述第一二极管的阳极与所述源极连接。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第二二极管的阴极与所述栅极连接，所述第二二极管的阳极与所述源极连接。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，多个第二电路的对应的第二二极管的击穿电压相等且第一个到第N个所述第二电路对应的第二二极管的数量以第一预设值依次递增。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电路对应的所述第一二极管与所述第二二极管的击穿电压相等，且所述第一电路中的第一二极管的数量多于任一第二电路中的所述的二二极管的数量。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，单个所述第一二极管及所述第二二极管的击穿电压为10V。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述保险丝的材料为多晶硅或金属铝。

10.一种测量栅源极电压的方法，其特征在于，应用如权利要求1-9中任意一项所述的半导体结构，包括：

在所述栅极与所述源极之间施加第一电压后，判断所述第二电路中所述保险丝是否烧断；

当仅第1个所述第二电路的保险丝烧断时，判断所述第一电压在所述第1个第二电路的第二反向耐压与第2个所述第二电路的第二反向耐压之间；

当第1个到第i个所述第二电路的保险丝均烧断时，判断所述第一电压在所述第i个第二电路的第二反向耐压与第i+1个所述第二电路的第二反向耐压之间，i为小于N的自然数。