[发明专利]形成集成电路的方法在审
| 申请号： | 201810973361.2 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109817567A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | H·比斯瓦思;杨国男;王中兴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蒋林清 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成集成电路的方法包含：在半导体衬底上形成导电网格；根据指派给多个第一导线的第一掩模层而从多个非连续导线选择所述多个第一导线；根据指派给多个第二导线的第二掩模层而从所述多个非连续导线选择所述多个第二导线，其中所述第二掩模层不同于所述第一掩模层，且所述多个第二导线经由多个连续导线电连接到所述多个第一导线；及由多个第三导线分别替换所述多个第二导线，其中所述多个第三导线指派给所述第一掩模层。 | ||
| 搜索关键词： | 掩模层 指派 导线选择 非连续 集成电路 导电网格 连续导线 电连接 衬底 半导体 替换 | ||
【主权项】：
1.一种形成集成电路的方法：在半导体衬底上形成导电网格，其中所述导电网格具有沿第一方向布置于第一导电层上的多个连续导线，及沿第二方向布置于第二导电层上的多个非连续导线；根据指派给多个第一导线的第一掩模层而从所述多个非连续导线选择所述多个第一导线；根据指派给多个第二导线的第二掩模层而从所述多个非连续导线选择所述多个第二导线，其中所述第二掩模层不同于所述第一掩模层，且所述多个第二导线经由所述多个连续导线电连接到所述多个第一导线；及当所述多个第一导线具有切割金属图案且所述多个第二导线不具有所述切割金属图案时，由多个第三导线分别替换所述多个第二导线，其中将所述多个第三导线指派给所述第一掩模层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810973361.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有基本上直的接触轮廓的半导体结构
- 下一篇：用于集成电路的互连及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
