[发明专利]形成集成电路的方法在审
| 申请号: | 201810973361.2 | 申请日: | 2018-08-24 |
| 公开(公告)号: | CN109817567A | 公开(公告)日: | 2019-05-28 |
| 发明(设计)人: | H·比斯瓦思;杨国男;王中兴 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/528;H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蒋林清 |
| 地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 掩模层 指派 导线选择 非连续 集成电路 导电网格 连续导线 电连接 衬底 半导体 替换 | ||
一种形成集成电路的方法包含:在半导体衬底上形成导电网格;根据指派给多个第一导线的第一掩模层而从多个非连续导线选择所述多个第一导线;根据指派给多个第二导线的第二掩模层而从所述多个非连续导线选择所述多个第二导线,其中所述第二掩模层不同于所述第一掩模层,且所述多个第二导线经由多个连续导线电连接到所述多个第一导线;及由多个第三导线分别替换所述多个第二导线,其中所述多个第三导线指派给所述第一掩模层。
技术领域
本揭示实施例是有关一种形成集成电路的导电网格的方法。
背景技术
由半导体芯片中的各种主动半导体装置使用的电流透过半导体芯片的一组电互连件或电力网格分配。因此,电力网格是半导体芯片中的电力输送结构。电力网格可横跨不同导电层级散布且一般可使用不同层级处的导线、路径、途径及/或不同交叉层级处的通路来将电力或电流提供到各种半导体装置。当前面临进一步改进电压(IR)降的性能、电子迁移(EM)性能及半导体芯片的电力网格的路由资源的挑战。
发明内容
根据本揭示的一实施例,一种形成集成电路的方法包括:在半导体衬底上形成导电网格,其中所述导电网格具有沿第一方向布置于第一导电层上的多个连续导线及沿第二方向布置于第二导电层上的多个非连续导线;根据指派给多个第一导线的第一掩模层而从所述多个非连续导线选择所述多个第一导线;根据指派给多个第二导线的第二掩模层而从所述多个非连续导线选择所述多个第二导线,其中所述第二掩模层不同于所述第一掩模层,且所述多个第二导线经由所述多个连续导线电连接到所述多个第一导线;及当所述多个第一导线具有切割金属图案且所述多个第二导线不具有所述切割金属图案时,由多个第三导线分别替换所述多个第二导线,其中将所述多个第三导线指派给所述第一掩模层。
根据本揭示的一实施例,一种形成集成电路的方法包括:在半导体衬底上形成导电网格,其中所述导电网格具有沿第一方向布置于第一导电层上的多个连续导线及沿第二方向布置于第二导电层上的多个非连续导线;从所述多个非连续导线选择多个第一导线;从所述多个非连续导线选择多个第二导线;及当将所述多个第一导线及所述多个第二导线指派给第一掩模时,由多个第三导线分别替换所述多个第二导线,其中将所述多个第三导线指派给不同于所述第一掩模层的第二掩模。
根据本揭示的一实施例,一种系统包括至少一处理器,其经配置以执行程序指令,所述程序指令将所述至少一处理器配置为执行包括以下各者的操作的处理工具:通过所述处理工具在半导体衬底上形成导电网格,其中所述导电网格具有沿第一方向布置于第一导电层上的多个连续导线及沿第二方向布置于第二导电层上的多个非连续导线;通过所述处理工具从所述多个非连续导线选择第一导线及第二导线,其中所述第一导线与所述第二导线之间的间隔具有第一宽度;通过所述处理工具从所述多个非连续导线选择第三导线及第四导线,其中所述第三导线与所述第四导线之间的间隔具有第二宽度;及通过所述处理工具使所述第三导线及所述第四导线分别由第五导线及第六导线替换,其中所述第五导线与所述第六导线之间的间隔具有所述第一宽度,且所述第二宽度大于所述第一宽度。
附图说明
从结合附图来阅读的[实施方式]最优选理解本揭示实施例的方面。应注意,根据业界标准做法,各个构件未按比例绘制。事实上,为使讨论清楚,可任意增大或减小各种构件的尺寸。
图1是绘示根据一些实施例的集成电路的电力网格的横截面图。
图2是绘示根据一些实施例的集成电路的电力网格的俯视图。
图3是绘示电力网格的相关技术的俯视图。
图4是绘示根据一些实施例的形成集成电路的电力网格的方法的流程图。
图5是绘示根据一些实施例的电力网格布局设计的图式。
图6是绘示根据一些实施例的电力网格布局设计的图式。
图7是绘示根据一些实施例的形成集成电路的电力网格的方法的流程图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810973361.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有基本上直的接触轮廓的半导体结构
- 下一篇:用于集成电路的互连及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





