[发明专利]形成集成电路的方法在审

专利信息
申请号: 201810973361.2 申请日: 2018-08-24
公开(公告)号: CN109817567A 公开(公告)日: 2019-05-28
发明(设计)人: H·比斯瓦思;杨国男;王中兴 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L23/528;H01L27/02
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 蒋林清
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 掩模层 指派 导线选择 非连续 集成电路 导电网格 连续导线 电连接 衬底 半导体 替换
【说明书】:

一种形成集成电路的方法包含:在半导体衬底上形成导电网格;根据指派给多个第一导线的第一掩模层而从多个非连续导线选择所述多个第一导线;根据指派给多个第二导线的第二掩模层而从所述多个非连续导线选择所述多个第二导线,其中所述第二掩模层不同于所述第一掩模层,且所述多个第二导线经由多个连续导线电连接到所述多个第一导线;及由多个第三导线分别替换所述多个第二导线,其中所述多个第三导线指派给所述第一掩模层。

技术领域

本揭示实施例是有关一种形成集成电路的导电网格的方法。

背景技术

由半导体芯片中的各种主动半导体装置使用的电流透过半导体芯片的一组电互连件或电力网格分配。因此,电力网格是半导体芯片中的电力输送结构。电力网格可横跨不同导电层级散布且一般可使用不同层级处的导线、路径、途径及/或不同交叉层级处的通路来将电力或电流提供到各种半导体装置。当前面临进一步改进电压(IR)降的性能、电子迁移(EM)性能及半导体芯片的电力网格的路由资源的挑战。

发明内容

根据本揭示的一实施例,一种形成集成电路的方法包括:在半导体衬底上形成导电网格,其中所述导电网格具有沿第一方向布置于第一导电层上的多个连续导线及沿第二方向布置于第二导电层上的多个非连续导线;根据指派给多个第一导线的第一掩模层而从所述多个非连续导线选择所述多个第一导线;根据指派给多个第二导线的第二掩模层而从所述多个非连续导线选择所述多个第二导线,其中所述第二掩模层不同于所述第一掩模层,且所述多个第二导线经由所述多个连续导线电连接到所述多个第一导线;及当所述多个第一导线具有切割金属图案且所述多个第二导线不具有所述切割金属图案时,由多个第三导线分别替换所述多个第二导线,其中将所述多个第三导线指派给所述第一掩模层。

根据本揭示的一实施例,一种形成集成电路的方法包括:在半导体衬底上形成导电网格,其中所述导电网格具有沿第一方向布置于第一导电层上的多个连续导线及沿第二方向布置于第二导电层上的多个非连续导线;从所述多个非连续导线选择多个第一导线;从所述多个非连续导线选择多个第二导线;及当将所述多个第一导线及所述多个第二导线指派给第一掩模时,由多个第三导线分别替换所述多个第二导线,其中将所述多个第三导线指派给不同于所述第一掩模层的第二掩模。

根据本揭示的一实施例,一种系统包括至少一处理器,其经配置以执行程序指令,所述程序指令将所述至少一处理器配置为执行包括以下各者的操作的处理工具:通过所述处理工具在半导体衬底上形成导电网格,其中所述导电网格具有沿第一方向布置于第一导电层上的多个连续导线及沿第二方向布置于第二导电层上的多个非连续导线;通过所述处理工具从所述多个非连续导线选择第一导线及第二导线,其中所述第一导线与所述第二导线之间的间隔具有第一宽度;通过所述处理工具从所述多个非连续导线选择第三导线及第四导线,其中所述第三导线与所述第四导线之间的间隔具有第二宽度;及通过所述处理工具使所述第三导线及所述第四导线分别由第五导线及第六导线替换,其中所述第五导线与所述第六导线之间的间隔具有所述第一宽度,且所述第二宽度大于所述第一宽度。

附图说明

从结合附图来阅读的[实施方式]最优选理解本揭示实施例的方面。应注意,根据业界标准做法,各个构件未按比例绘制。事实上,为使讨论清楚,可任意增大或减小各种构件的尺寸。

图1是绘示根据一些实施例的集成电路的电力网格的横截面图。

图2是绘示根据一些实施例的集成电路的电力网格的俯视图。

图3是绘示电力网格的相关技术的俯视图。

图4是绘示根据一些实施例的形成集成电路的电力网格的方法的流程图。

图5是绘示根据一些实施例的电力网格布局设计的图式。

图6是绘示根据一些实施例的电力网格布局设计的图式。

图7是绘示根据一些实施例的形成集成电路的电力网格的方法的流程图。

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