[发明专利]一种阴极短路栅控晶闸管版图设计方法在审
| 申请号： | 201810970618.9 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109309086A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;左慧玲;刘超;刘亚伟;邓操 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种阴极短路栅控晶闸管(CS‑MCT)的版图设计方法。本发明的方法主要是，使得元胞的栅结构形成沿水平方向的条形栅结构；将和结终端相连的一圈元胞定义为边缘元胞，其他元胞定义为内部元胞；其中，边缘元胞的半导体掺杂区通过条形的接触孔与阴极连接，内部元胞通过方形的接触孔与阴极连接。此种改进措施增大了边缘元胞的闩锁电流，延长边缘元胞进入闩锁的时间；同时，减小栅电容，提前内部元胞进入闩锁的时间；另外，在水平方向的中部，条形栅极沿垂直方向还具有金属叉指，可以减小多晶硅上寄生的栅电阻，也能提前内部元胞进入闩锁的时间。总之，使边缘元胞和内部元胞尽量同时触发闩锁，使电流分布均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 元胞 阴极 闩锁 版图设计 短路栅 接触孔 晶闸管 减小 功率半导体器件 半导体掺杂区 电流分布 条形栅极 闩锁电流 多晶硅 结终端 金属叉 条形栅 栅电容 栅电阻 栅结构 触发 改进 | ||
【主权项】：
1.一种阴极短路栅控晶闸管版图设计方法，其特征在于，将版图的俯视图定义为直角坐标平面，沿垂直方向，将元胞以平行于水平方向的方式依次并列设置，使得元胞的栅结构形成沿水平方向的条形栅结构；将和结终端相连的一圈元胞定义为边缘元胞，其他元胞定义为内部元胞；沿垂直方向，在条形栅结构之间为器件阴极，其中，边缘元胞的半导体掺杂区通过条形的接触孔与阴极连接，与边缘元胞不同的是，内部元胞通过方形的接触孔与阴极连接；在水平方向的中部，条形栅极沿垂直方向还具有金属叉指。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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